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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 11A 60W TO247AC
  详细描述：IGBT 1200V 11A 60W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PH20KD
  仓库库存编号：IRG4PH20KD-ND
  别名：*IRG4PH20KD
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 85A 350W SUPER247
  详细描述：IGBT 600V 85A 350W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
  
  型号：IRG4PSC71KD
  仓库库存编号：IRG4PSC71KD-ND
  别名：*IRG4PSC71KD
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 78A 350W SUPER247
  详细描述：IGBT 1200V 78A 350W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
  
  型号：IRG4PSH71KD
  仓库库存编号：IRG4PSH71KD-ND
  别名：*IRG4PSH71KD
  SP001549506
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 250V 98A 200W TO247AC
  详细描述：IGBT 250V 98A 200W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4P254S
  仓库库存编号：IRG4P254S-ND
  别名：*IRG4P254S
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 28A 100W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 28A 100W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC30K
  仓库库存编号：IRG4PC30K-ND
  别名：*IRG4PC30K
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 34A 100W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 34A 100W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC30S
  仓库库存编号：IRG4PC30S-ND
  别名：*IRG4PC30S
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 23A 100W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 23A 100W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC30U
  仓库库存编号：IRG4PC30U-ND
  别名：*IRG4PC30U
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 52A 200W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 52A 200W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC50K
  仓库库存编号：IRG4PC50K-ND
  别名：*IRG4PC50K
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 11A 60W TO247AC
  详细描述：IGBT 1200V 11A 60W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PH20K
  仓库库存编号：IRG4PH20K-ND
  别名：*IRG4PH20K
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 20A 100W TO247AC
  详细描述：IGBT 1200V 20A 100W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PH30K
  仓库库存编号：IRG4PH30K-ND
  别名：*IRG4PH30K
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 12V 5.5A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 5.5A（Ta） 1.7W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRLMS4502TR
  仓库库存编号：IRLMS4502CT-ND
  别名：IRLMS4502
  IRLMS4502-ND
  IRLMS4502CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7526D1
  仓库库存编号：IRF7526D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.4A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：IRF7207TR
  仓库库存编号：IRF7207TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 9.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7233TR
  仓库库存编号：IRF7233TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.3A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7322D1
  仓库库存编号：IRF7322D1-ND
  别名：*IRF7322D1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.3A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7322D1TR
  仓库库存编号：IRF7322D1TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7324D1TR
  仓库库存编号：IRF7324D1TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7353D2
  仓库库存编号：IRF7353D2-ND
  别名：*IRF7353D2
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7379TR
  仓库库存编号：IRF7379TR-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7389TR
  仓库库存编号：IRF7389TR-ND
  
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  MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7402TR
  仓库库存编号：IRF7402TR-ND
  
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  MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7413ATR
  仓库库存编号：IRF7413ATR-ND
  
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  MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.8A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7421D1TR
  仓库库存编号：IRF7421D1TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.3A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7422D2TR
  仓库库存编号：IRF7422D2TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7452TR
  仓库库存编号：IRF7452TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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