产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3.2A(Ta) 1.7W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRLMS1902TR
仓库库存编号:
IRLMS1902CT-ND
别名:*IRLMS1902TR
IRLMS1902
IRLMS1902CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.6A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(SOT23-6)
型号:
IRLMS6802TR
仓库库存编号:
IRLMS6802CT-ND
别名:*IRLMS6802TR
IRLMS6802
IRLMS6802CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 85A 350W SUPER247
详细描述:IGBT 600V 85A 350W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号:
IRG4PSC71K
仓库库存编号:
IRG4PSC71K-ND
别名:*IRG4PSC71K
Q978708
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 85A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3402S
仓库库存编号:
IRL3402S-ND
别名:*IRL3402S
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 44A(Tc) 62W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8503
仓库库存编号:
IRLR8503-ND
别名:*IRLR8503
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 55V 11A(Tc) 38W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU9024N
仓库库存编号:
IRFU9024N-ND
别名:*IRFU9024N
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 2.4A(Ta) 1.3W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7521D1
仓库库存编号:
IRF7521D1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.7A(Ta) 1.25W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7523D1
仓库库存编号:
IRF7523D1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6.5A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7607
仓库库存编号:
IRF7607-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7452
仓库库存编号:
IRF7452-ND
别名:*IRF7452
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 15A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7457
仓库库存编号:
IRF7457-ND
别名:*IRF7457
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 12A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7459
仓库库存编号:
IRF7459-ND
别名:*IRF7459
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 12A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7460
仓库库存编号:
IRF7460-ND
别名:*IRF7460
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7464
仓库库存编号:
IRF7464-ND
别名:*IRF7464
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7466
仓库库存编号:
IRF7466-ND
别名:*IRF7466
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7467
仓库库存编号:
IRF7467-ND
别名:*IRF7467
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 9.4A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7468
仓库库存编号:
IRF7468-ND
别名:*IRF7468
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4420DY
仓库库存编号:
SI4420DY-ND
别名:*SI4420DY
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 2.8A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL024N
仓库库存编号:
IRFL024N-ND
别名:*IRFL024N
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.6A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL1006
仓库库存编号:
IRFL1006-ND
别名:*IRFL1006
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.9A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL2703
仓库库存编号:
IRLL2703-ND
别名:*IRLL2703
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 85A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 85A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3402
仓库库存编号:
IRL3402-ND
别名:*IRL3402
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.4A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7207
仓库库存编号:
IRF7207-ND
别名:*IRF7207
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 9.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7233
仓库库存编号:
IRF7233-ND
别名:*IRF7233
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 100V 23A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) TO-262
型号:
IRF9540NL
仓库库存编号:
IRF9540NL-ND
别名:*IRF9540NL
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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