产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 28V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7811ATR
仓库库存编号:
IRF7811ATR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9410
仓库库存编号:
IRF9410-ND
别名:*IRF9410
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF9952
仓库库存编号:
IRF9952-ND
别名:*IRF9952
SP001563782
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF9953
仓库库存编号:
IRF9953-ND
别名:*IRF9953
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF9956
仓库库存编号:
IRF9956-ND
别名:*IRF9956
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 33A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
94-4737
仓库库存编号:
94-4737-ND
别名:*IRFR3303
IRFR3303
IRFR3303-ND
SP001517800
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 33A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3303TR
仓库库存编号:
IRFR3303TR-ND
别名:SP001572808
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 18A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5505
仓库库存编号:
IRFR5505-ND
别名:*IRFR5505
SP001573284
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 33A(Tc) 57W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3303
仓库库存编号:
IRFU3303-ND
别名:*IRFU3303
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 55V 18A(Tc) 57W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU5505
仓库库存编号:
IRFU5505-ND
别名:*IRFU5505
SP001552454
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 16A 60W TO220AB
详细描述:IGBT 600V 16A 60W Through Hole TO-220AB
型号:
IRG4BC20FD
仓库库存编号:
IRG4BC20FD-ND
别名:*IRG4BC20FD
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 16A 60W TO220AB
详细描述:IGBT 600V 16A 60W Through Hole TO-220AB
型号:
IRG4BC20KD
仓库库存编号:
IRG4BC20KD-ND
别名:*IRG4BC20KD
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 19A 60W TO220AB
详细描述:IGBT 600V 19A 60W Through Hole TO-220AB
型号:
IRG4BC20S
仓库库存编号:
IRG4BC20S-ND
别名:*IRG4BC20S
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 34A 100W TO220AB
详细描述:IGBT 600V 34A 100W Through Hole TO-220AB
型号:
IRG4BC30S
仓库库存编号:
IRG4BC30S-ND
别名:*IRG4BC30S
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IGBT STD 600V 60A TO-220AB
详细描述:IGBT 600V 60A 160W Through Hole TO-220AB
型号:
92-0065
仓库库存编号:
92-0065-ND
别名:IRG4BC40S
IRG4BC40S-ND
SP001537884
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 28A 100W TO247AC
详细描述:IGBT 600V 28A 100W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PC30KD
仓库库存编号:
IRG4PC30KD-ND
别名:*IRG4PC30KD
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 49A 160W TO247AC
详细描述:IGBT 600V 49A 160W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PC40F
仓库库存编号:
IRG4PC40F-ND
别名:*IRG4PC40F
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 42A 160W TO247AC
详细描述:IGBT 600V 42A 160W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PC40K
仓库库存编号:
IRG4PC40K-ND
别名:*IRG4PC40K
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 20A 100W TO247AC
详细描述:IGBT 1200V 20A 100W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PH30KD
仓库库存编号:
IRG4PH30KD-ND
别名:*IRG4PH30KD
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 160W TO247AC
详细描述:IGBT 1200V 30A 160W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PH40K
仓库库存编号:
IRG4PH40K-ND
别名:*IRG4PH40K
SP001549534
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 61A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 61A(Tc) 89W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3102
仓库库存编号:
IRL3102-ND
别名:*IRL3102
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 61A(Tc) 89W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3102S
仓库库存编号:
IRL3102S-ND
别名:*IRL3102S
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 48A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 48A(Tc) 69W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3202S
仓库库存编号:
IRL3202S-ND
别名:*IRL3202S
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3302
仓库库存编号:
IRL3302-ND
别名:*IRL3302
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3302S
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