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• Infineon Technologies
  IGBT UFAST 600V 40A TO-220AB
  详细描述：IGBT 600V 40A 160W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRGBC40U
  仓库库存编号：IRGBC40U-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT FAST 900V 20A TO-220AB
  详细描述：IGBT 900V 9A 60W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRGBF20F
  仓库库存编号：IRGBF20F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT UFAST 600V 23A TO-220AB
  详细描述：IGBT 600V 23A 100W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRGBC30U
  仓库库存编号：IRGBC30U-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT FAST 600V 31A TO-220AB
  详细描述：IGBT 600V 31A 100W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRGBC30F
  仓库库存编号：IRGBC30F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT UFAST 600V 13A TO-220AB
  详细描述：IGBT 600V 13A 60W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRGBC20U
  仓库库存编号：IRGBC20U-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.3A（Ta） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：IRF7204TR
  仓库库存编号：IRF7204CT-ND
  别名：*IRF7204TR
  IRF7204CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.3A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：IRF7201
  仓库库存编号：IRF7201-ND
  别名：*IRF7201
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.5A（Tc） 1.6W（Ta），2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：IRF7202TR
  仓库库存编号：IRF7202CT-ND
  别名：IRF7202
  IRF7202CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 3.7A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRFL4105TR
  仓库库存编号：IRFL4105CT-ND
  别名：*IRFL4105TR
  IRFL4105CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.6A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRFL4310TR
  仓库库存编号：IRFL4310CT-ND
  别名：*IRFL4310TR
  IRFL4310CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 3.8A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRLL2705TR
  仓库库存编号：IRLL2705CT-ND
  别名：*IRLL2705TR
  IRLL2705CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.6A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRLL3303TR
  仓库库存编号：IRLL3303CT-ND
  别名：*IRLL3303TR
  IRLL3303CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 64A（Tc） 2W（Ta），89W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL3103D1
  仓库库存编号：IRL3103D1-ND
  别名：*IRL3103D1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 3.1W（Ta），89W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3103D1S
  仓库库存编号：IRL3103D1S-ND
  别名：*IRL3103D1S
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.8A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7421D1
  仓库库存编号：IRF7421D1-ND
  别名：*IRF7421D1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.3A（Ta） 1.7W（Ta） Micro6?（SOT23-6）
  
  型号：IRLMS5703TR
  仓库库存编号：IRLMS5703CT-ND
  别名：*IRLMS5703TR
  IRLMS5703
  IRLMS5703CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.4A（Ta） 1.7W（Ta） Micro6?（SOT23-6）
  
  型号：IRLMS6702TR
  仓库库存编号：IRLMS6702CT-ND
  别名：*IRLMS6702TR
  IRLMS6702
  IRLMS6702CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 13A 60W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 13A 60W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRG4BC20U
  仓库库存编号：IRG4BC20U-ND
  别名：*IRG4BC20U
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 13A 60W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 13A 60W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRG4BC20UD
  仓库库存编号：IRG4BC20UD-ND
  别名：*IRG4BC20UD
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 31A 100W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 31A 100W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRG4BC30F
  仓库库存编号：IRG4BC30F-ND
  别名：*IRG4BC30F
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 23A 100W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 23A 100W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRG4BC30U
  仓库库存编号：IRG4BC30U-ND
  别名：*IRG4BC30U
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 40A 160W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 40A 160W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRG4BC40U
  仓库库存编号：IRG4BC40U-ND
  别名：*IRG4BC40U
  SP001547886
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 49A 160W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 49A 160W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC40FD
  仓库库存编号：IRG4PC40FD-ND
  别名：*IRG4PC40FD
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 40A 160W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 40A 160W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC40U
  仓库库存编号：IRG4PC40U-ND
  别名：*IRG4PC40U
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 55A 200W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 55A 200W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC50U
  仓库库存编号：IRG4PC50U-ND
  别名：*IRG4PC50U
  SP001532604
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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