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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A 1.2W 8-SO
  
  型号：FDS6298_G
  仓库库存编号：FDS6298_G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.3A, 8.6A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS6982AS_G
  仓库库存编号：FDS6982AS_G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.5A, 7.9A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS6986AS_SN00192
  仓库库存编号：FDS6986AS_SN00192-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.4A, 4.5A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS8958B_G
  仓库库存编号：FDS8958B_G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH SSOT6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 220mA 700mW Surface Mount SuperSOT?-6
  
  型号：FDC6301N_G
  仓库库存编号：FDC6301N_G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH SSOT6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.3A 800mW SuperSOT?-6
  
  型号：FDC655BN_NBNN007
  仓库库存编号：FDC655BN_NBNN007-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 47A 417W TO-3PN
  
  型号：FCA47N60F_SN00171
  仓库库存编号：FCA47N60F_SN00171-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT W/DIODE 600V 40A TO-247AC
  详细描述：IGBT 600V 40A 160W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGPC40UD2
  仓库库存编号：IRGPC40UD2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT W/DIODE 600V 23A TO-220AB
  详细描述：IGBT 600V 23A 100W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRGBC30UD2
  仓库库存编号：IRGBC30UD2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT FAST 900V 51A TO-247AC
  详细描述：IGBT 900V 51A 200W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGPF50F
  仓库库存编号：IRGPF50F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT FAST 600V 70A TO-247AC
  详细描述：IGBT 600V 70A 200W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGPC50F
  仓库库存编号：IRGPC50F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT STD 600V 50A TO-220AB
  详细描述：IGBT 600V 50A 160W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRGBC40S
  仓库库存编号：IRGBC40S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT STD 600V 34A TO-220AB
  详细描述：IGBT 600V 34A 100W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRGBC30S
  仓库库存编号：IRGBC30S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT W/DIODE 600V 55A TO-247AC
  详细描述：IGBT 600V 55A 200W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGPC50UD2
  仓库库存编号：IRGPC50UD2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT W/DIODE 600V 70A TO-247AC
  详细描述：IGBT 600V 70A 200W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGPC50FD2
  仓库库存编号：IRGPC50FD2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT W/DIODE 600V 49A TO-247AC
  详细描述：IGBT 600V 49A 160W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGPC40FD2
  仓库库存编号：IRGPC40FD2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT W/DIODE 600V 31A TO-247AC
  详细描述：IGBT 600V 31A 100W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGPC30FD2
  仓库库存编号：IRGPC30FD2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT W/DIODE 600V 13A TO-220AB
  详细描述：IGBT 600V 13A 60W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRGBC20UD2
  仓库库存编号：IRGBC20UD2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB
  详细描述：IGBT 600V 31A 100W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRGBC30FD2
  仓库库存编号：IRGBC30FD2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT FAST 1200V 45A TO-247AC
  详细描述：IGBT 1200V 45A 200W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGPH50F
  仓库库存编号：IRGPH50F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT FAST 1200V 29A TO-247AC
  详细描述：IGBT 1200V 29A 160W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGPH40F
  仓库库存编号：IRGPH40F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT FAST 900V 31A TO-247AC
  详细描述：IGBT 900V 31A 160W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGPF40F
  仓库库存编号：IRGPF40F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT UFAST 600V 55A TO-247AC
  详细描述：IGBT 600V 55A 200W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGPC50U
  仓库库存编号：IRGPC50U-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT UFAST 600V 40A TO-247AC
  详细描述：IGBT 600V 40A 160W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGPC40U
  仓库库存编号：IRGPC40U-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT STD 600V 50A TO-247AC
  详细描述：IGBT 600V 50A 160W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGPC40S
  仓库库存编号：IRGPC40S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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