产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 1PH 25A 1000V GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 25A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC2510-E4/51
仓库库存编号：
GBPC2510-E4/51GI-ND
别名：GBPC2510-E4/51-ND
GBPC2510-E4/51GI
GBPC2510E451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 12A 100V GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 12A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC1201-E4/51
仓库库存编号：
GBPC1201-E4/51GI-ND
别名：GBPC1201-E4/51GI
GBPC1201E451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 277W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP22N50APBF
仓库库存编号：
IRFP22N50APBF-ND
别名：*IRFP22N50APBF
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 6.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
型号：
STF8NK100Z
仓库库存编号：
497-5007-5-ND
别名：497-5007-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 80A 250W TO247
详细描述：IGBT 600V 80A 250W Through Hole TO-247-3
型号：
STGW39NC60VD
仓库库存编号：
497-5741-ND
别名：497-5741
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 30W（Tc） TO-220 整包
型号：
STF24N60DM2
仓库库存编号：
497-15115-5-ND
别名：497-15115-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP17N80C3
仓库库存编号：
SPP17N80C3IN-ND
别名：SP000013354
SP000683164
SPP17N80C3IN
SPP17N80C3X
SPP17N80C3XK
SPP17N80C3XKSA1
SPP17N80C3XTIN
SPP17N80C3XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 38A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP264PBF
仓库库存编号：
IRFP264PBF-ND
别名：*IRFP264PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Micro Commercial Co
BRIDGE RECT 50A 1KV GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 50A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC5010-BP
仓库库存编号：
GBPC5010-BPMS-ND
别名：GBPC5010-BPMS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 6.1A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPG50PBF
仓库库存编号：
IRFPG50PBF-ND
别名：*IRFPG50PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 20A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F
型号：
FDPF20N50FT
仓库库存编号：
FDPF20N50FT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Micro Commercial Co
RECT BRIDGE 400V 50A GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 50A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC5004-BP
仓库库存编号：
GBPC5004-BPMS-ND
别名：GBPC5004-BPMS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100mA（Tc） 1.1W（Ta），25W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP01N100D
仓库库存编号：
IXTP01N100D-ND
别名：607074
Q1614635
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 49A 160W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 49A 160W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC40FDPBF
仓库库存编号：
IRG4PC40FDPBF-ND
别名：*IRG4PC40FDPBF
SP001540552
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 42W（Tc） PG-TO220-3
型号：
SPA17N80C3
仓库库存编号：
SPA17N80C3IN-ND
别名：SP000216353
SPA17N80C3IN
SPA17N80C3X
SPA17N80C3XK
SPA17N80C3XKSA1
SPA17N80C3XTIN
SPA17N80C3XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 76A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 76A（Tc） 298W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP76P10T
仓库库存编号：
IXTP76P10T-ND
别名：621165
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 9A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
STF10N80K5
仓库库存编号：
497-15113-5-ND
别名：497-15113-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 55A 200W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 55A 200W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC50UDPBF
仓库库存编号：
IRG4PC50UDPBF-ND
别名：*IRG4PC50UDPBF
63-6001PBF
63-6001PBF-ND
SP001536024
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 76A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 76A（Tc） 298W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA76P10T
仓库库存编号：
IXTA76P10T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW20N60C3
仓库库存编号：
SPW20N60C3IN-ND
别名：SP000013729
SPW20N60C3FKSA1
SPW20N60C3IN
SPW20N60C3XK
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 50A 312W TO3P
详细描述：IGBT NPT and Trench 1200V 50A 312W Through Hole TO-3P
型号：
FGA25N120ANTDTU
仓库库存编号：
FGA25N120ANTDTU-ND
别名：FGA25N120ANTDTU_NL
FGA25N120ANTDTU_NL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 16A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPC60LCPBF
仓库库存编号：
IRFPC60LCPBF-ND
别名：*IRFPC60LCPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 227W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW17N80C3
仓库库存编号：
SPW17N80C3IN-ND
别名：SP000013369
SPW17N80C3FKSA1
SPW17N80C3IN
SPW17N80C3X
SPW17N80C3XK
SPW17N80C3XTIN
SPW17N80C3XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 48A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 625W（Tc） TO-3PN
型号：
FDA50N50
仓库库存编号：
FDA50N50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
详细描述：通孔 N 沟道 37.9A（Tc） 35W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R099C6
仓库库存编号：
IPA60R099C6-ND
别名：IPA60R099C6XKSA1
SP000658000
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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