产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF10NM60N
仓库库存编号:
497-12564-5-ND
别名:497-12564-5
STF10NM60N-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP250PBF
仓库库存编号:
IRFP250PBF-ND
别名:*IRFP250PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Comchip Technology
RECT BRIDGE GPP 600V 35A GBPC
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 35A QC Terminal GBPC
型号:
GBPC3506-G
仓库库存编号:
641-1378-ND
别名:641-1378
GBPC3506G
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Comchip Technology
RECT BRIDGE GPP 1000V 35A GBPCW
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1000V 35A Through Hole GBPC-W
型号:
GBPC3510W-G
仓库库存编号:
641-1386-ND
别名:641-1386
GBPC3510WG
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
RECT BRIDGE GPP 35A 200V GBPC-W
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 200V 35A Through Hole GBPC-W
型号:
GBPC3502W
仓库库存编号:
GBPC3502WFS-ND
别名:GBPC3502W-ND
GBPC3502WFS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
RECT BRIDGE GPP 35A 1000V GBPC-W
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1000V 35A Through Hole GBPC-W
型号:
GBPC3510W
仓库库存编号:
GBPC3510WFS-ND
别名:GBPC3510WFS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
RECT BRIDGE GPP 35A 800V GBPC-W
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 800V 35A Through Hole GBPC-W
型号:
GBPC3508W
仓库库存编号:
GBPC3508W-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA90R500C3
仓库库存编号:
IPA90R500C3-ND
别名:IPA90R500C3XKSA1
SP000413716
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF644SPBF
仓库库存编号:
IRF644SPBF-ND
别名:*IRF644SPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 31.2A(Tc) 277.8W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R110CFD
仓库库存编号:
IPB65R110CFDCT-ND
别名:IPB65R110CFDCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 34W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R190C6
仓库库存编号:
IPA60R190C6-ND
别名:IPA60R190C6XKSA1
SP000621152
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 46W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI4321PBF
仓库库存编号:
IRFI4321PBF-ND
别名:SP001556676
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
STP10NK80Z
仓库库存编号:
497-7498-5-ND
别名:497-7498-5
STP10NK80Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
RECT BRIDGE GPP 35A 200V GBPC
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 200V 35A QC Terminal GBPC
型号:
GBPC3502
仓库库存编号:
GBPC3502-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 23A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 235W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA24N40F
仓库库存编号:
FDA24N40F-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF14NM50N
仓库库存编号:
497-12569-5-ND
别名:497-12569-5
STF14NM50N-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE30SPBF
仓库库存编号:
IRFBE30SPBF-ND
别名:*IRFBE30SPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 9A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STP10NK80ZFP
仓库库存编号:
497-5972-5-ND
别名:497-5972-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600mA(Tc) 42W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA06N120P
仓库库存编号:
IXTA06N120P-ND
别名:617329
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 6.1A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9640GPBF
仓库库存编号:
IRFI9640GPBF-ND
别名:*IRFI9640GPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Comchip Technology
RECT BRIDGE GPP 600V 50A GBPCW
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 50A Through Hole GBPC-W
型号:
GBPC5006W-G
仓库库存编号:
641-1387-ND
别名:641-1387
GBPC5006WG
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Comchip Technology
RECT BRIDGE GPP 800V 50A GBPCW
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 800V 50A Through Hole GBPC-W
型号:
GBPC5008W-G
仓库库存编号:
641-1388-ND
别名:641-1388
GBPC5008WG
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Comchip Technology
RECT BRIDGE GPP 800V 50A GBPC
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 800V 50A QC Terminal GBPC
型号:
GBPC5008-G
仓库库存编号:
641-1382-ND
别名:641-1382
GBPC5008G
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
STW14NK50Z
仓库库存编号:
497-3258-5-ND
别名:497-3258-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 17.5A(Tc) 151W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R190CFD
仓库库存编号:
IPW65R190CFD-ND
别名:IPW65R190CFDFKSA1
SP000905376
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