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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.5A（Ta） 625mW（Ta） SOT-26
  
  型号：ZXM62P03E6TC
  仓库库存编号：ZXM62P03E6TCDI-ND
  别名：ZXM62P03E6TCDI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9.3A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：ZXMP3F35N8TA
  仓库库存编号：ZXMP3F35N8TADI-ND
  别名：ZXMP3F35N8TADI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 7.2A 8SO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.2A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：ZXMP3F36N8TA
  仓库库存编号：ZXMP3F36N8TADI-ND
  别名：ZXMP3F36N8TADI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.81W Surface Mount 8-SO
  
  型号：ZXMP3F37DN8TA
  仓库库存编号：ZXMP3F37DN8TADI-ND
  别名：ZXMP3F37DN8TADI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 6.4A 8SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 6.4A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：ZXMP3F37N8TA
  仓库库存编号：ZXMP3F37N8TADI-ND
  别名：ZXMP3F37N8TADI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  DIODE MODULE 200V SOT227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 45A Chassis, Stud Mount SOT-227
  
  型号：APT30DS20HJ
  仓库库存编号：APT30DS20HJ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  DIODE MODULE 1.2KV SOT227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 35A Chassis, Stud Mount SOT-227
  
  型号：APT35DL120HJ
  仓库库存编号：APT35DL120HJ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOD DIODE 45V SOT-227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 45V 40A Chassis Mount SOT-227
  
  型号：APT40DS04HJ
  仓库库存编号：APT40DS04HJ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOD DIODE 100V SOT-227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 40A Chassis Mount SOT-227
  
  型号：APT40DS10HJ
  仓库库存编号：APT40DS10HJ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOD DIODE 1200V SOT-227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 50A Chassis Mount SOT-227
  
  型号：APT50DL120HJ
  仓库库存编号：APT50DL120HJ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOD BRIDGE RECT 10A 660-1100V
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1100V 10A Through Hole VJ
  
  型号：VJ647M
  仓库库存编号：VJ647M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOD DIODE 400V SOT-227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 45V 60A Chassis Mount SOT-227
  
  型号：APT60DS04HJ
  仓库库存编号：APT60DS04HJ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOD DIODE 100V SOT-227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 60A Chassis Mount SOT-227
  
  型号：APT60DS10HJ
  仓库库存编号：APT60DS10HJ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOD DIODE 200V SOT-227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 90A Chassis Mount SOT-227
  
  型号：APT60DS20HJ
  仓库库存编号：APT60DS20HJ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 16A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 16A（Tc） 290W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT15F60S
  仓库库存编号：APT15F60S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 19A（Tc） 335W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT18F60S
  仓库库存编号：APT18F60S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 20A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 20A（Tc） 290W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT20F50S
  仓库库存编号：APT20F50S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 23A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 24A（Tc） 415W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT23F60S
  仓库库存编号：APT23F60S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 24A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 24A（Tc） 335W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT24F50S
  仓库库存编号：APT24F50S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 30A（Tc） 520W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT28F60S
  仓库库存编号：APT28F60S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 12A（Tc） 337W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT11F80S
  仓库库存编号：APT11F80S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 38A（Tc） 278W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT38N60SC6
  仓库库存编号：APT38N60SC6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 35A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 35A（Tc） 403W（Tc） TO-247
  
  型号：APT5014SLLG/TR
  仓库库存编号：APT5014SLLG/TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 18A（Tc） 565W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT12067B2LLG
  仓库库存编号：APT12067B2LLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 17A（Tc） 460W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT12067JLL
  仓库库存编号：APT12067JLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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