以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• IXYS
  IGBT 3000V 18A 100W TO247AD
  详细描述：IGBT 3000V 18A 100W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH10N300
  仓库库存编号：IXGH10N300-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2500V 200mA（Tc） 83W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA02N250
  仓库库存编号：IXTA02N250-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR640DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR640DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR640DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.5A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI9936BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI9936BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI9936BDY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7860DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7860DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7860DP-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4542DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4542DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4542DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4562DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4562DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4562DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 5.3A, 7.7A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4816DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4816DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4816DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4920DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4920DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4920DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 5.3A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4942DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4942DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4942DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 8.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4401DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4401DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4401DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4404DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4404DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4404DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.8A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4412ADY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4412ADY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4412ADY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4836DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4836DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4836DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4860DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4860DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4860DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4888DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4888DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4888DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 850mA（Ta） 290mW（Ta） SC-70-3
  
  型号：SI1307DL-T1-E3
  仓库库存编号：SI1307DL-T1-E3CT-ND
  别名：SI1307DL-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 1.6A（Ta） 568mW（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1405DL-T1-E3
  仓库库存编号：SI1405DL-T1-E3CT-ND
  别名：SI1405DL-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 3.2A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2335DS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2335DS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2335DS-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 4.4A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 4.4A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3445ADV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3445ADV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3445ADV-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 2W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3445DV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3445DV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3445DV-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Bourns Inc.
  TRANS NPN 140V 7A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 140V 7A 6MHz 60W Through Hole TO-220
  
  型号：BU406-S
  仓库库存编号：BU406-S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Bourns Inc.
  TRANS NPN 140V 7A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 140V 7A 6MHz 60W Through Hole TO-220
  
  型号：BU407-S
  仓库库存编号：BU407-S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.3A（Ta） 1.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDFMA3P029Z
  仓库库存编号：FDFMA3P029ZCT-ND
  别名：FDFMA3P029ZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS PNP 30V 1.5A TO226
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 1.5A 1W Through Hole TO-226
  
  型号：TN6726A_D26Z
  仓库库存编号：TN6726A_D26ZCT-ND
  别名：TN6726A_D26ZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索