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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF730PBF
  仓库库存编号：IRF730PBF-ND
  别名：*IRF730PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF830APBF
  仓库库存编号：IRF830APBF-ND
  别名：*IRF830APBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 9A 25W TO220FP
  详细描述：IGBT 600V 9A 25W Through Hole TO-220FP
  
  型号：STGF10NC60KD
  仓库库存编号：497-5114-5-ND
  别名：497-5114-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC320N20NS3 G
  仓库库存编号：BSC320N20NS3 GCT-ND
  别名：BSC320N20NS3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 38A（Tc） 3.1W（Ta），170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF5210STRLPBF
  仓库库存编号：IRF5210STRLPBFCT-ND
  别名：IRF5210STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  BRIDGE RECT 1PHASE 1000V GBJL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 10A Through Hole GBJL
  
  型号：GBJL1010-BP
  仓库库存编号：GBJL1010-BPMS-ND
  别名：GBJL1010
  GBJL1010-BPMS
  GBJL1010MS
  GBJL1010MS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 15A 1000V GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 15A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ1510-BP
  仓库库存编号：GBJ1510-BPMS-ND
  别名：GBJ15010-BP
  GBJ15010-BPMS
  GBJ15010-BPMS-ND
  GBJ1510BP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE GPP 400V 10A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 10A Through Hole GBU
  
  型号：GBU1004-G
  仓库库存编号：641-1367-5-ND
  别名：641-1367-5
  GBU1004G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 10A 600V GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 10A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ1006-BP
  仓库库存编号：GBJ1006-BPMS-ND
  别名：GBJ1006-BPMS
  GBJ1006BP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  BRIDGE RECTIFIER 10A 1000V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 10A Through Hole GBU
  
  型号：GBU10M-BP
  仓库库存编号：GBU10M-BPMS-ND
  别名：GBU10M-BPMS
  GBU10MBP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 15A 600V GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 15A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ1506-BP
  仓库库存编号：GBJ1506-BPMS-ND
  别名：GBJ1506-BPMS
  GBJ1506BP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 6.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 6.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF8N50NZU
  仓库库存编号：FDPF8N50NZU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8 FL
  
  型号：BSC010N04LSIATMA1
  仓库库存编号：BSC010N04LSIATMA1CT-ND
  别名：BSC010N04LSIATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 60W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU6N60M2
  仓库库存编号：497-13978-5-ND
  别名：497-13978-5
  STU6N60M2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 3.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9620PBF
  仓库库存编号：IRF9620PBF-ND
  别名：*IRF9620PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC600N25NS3 G
  仓库库存编号：BSC600N25NS3 GCT-ND
  别名：BSC600N25NS3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 400V 4A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 4A Through Hole GBU
  
  型号：GBU404
  仓库库存编号：GBU404DI-ND
  别名：GBU404DI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 4A 600V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 4A Through Hole GBU
  
  型号：GBU406
  仓库库存编号：GBU406DI-ND
  别名：GBU406-ND
  GBU406DI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 100V 4A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 4A Through Hole GBU
  
  型号：GBU401
  仓库库存编号：GBU401DI-ND
  别名：GBU401DI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF644PBF
  仓库库存编号：IRF644PBF-ND
  别名：*IRF644PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 92.6W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD9N60NTM
  仓库库存编号：FCD9N60NTMCT-ND
  别名：FCD9N60NTMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 190mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN2406L-G
  仓库库存编号：VN2406L-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 600V 8A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 8A Through Hole GBU
  
  型号：GBU806
  仓库库存编号：GBU806DI-ND
  别名：GBU806DI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7852ADP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7852ADP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7852ADP-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECTIFIER BRIDGE 6A 200V PB-6
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 6A Through Hole PB-6
  
  型号：PB62-BP
  仓库库存编号：PB62-BPMS-ND
  别名：PB62-BPMS
  PB62BP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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