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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 40V 12A/10A DPAK
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 12A, 10A 1.3W Surface Mount TO-252-4L
  
  型号：FDD8426H
  仓库库存编号：FDD8426H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.9A 6MLP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.9A（Ta） 1.4W（Ta） SC-75，MicroFET
  
  型号：FDFMJ2P023Z
  仓库库存编号：FDFMJ2P023Z-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V TO-220FP-3
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 28W（Tc） TO-220F（LG 成形）
  
  型号：FDPF5N50TYDTU
  仓库库存编号：FDPF5N50TYDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 290W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA24N50F_F109
  仓库库存编号：FQA24N50F_F109-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 290W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA24N50_F109
  仓库库存编号：FQA24N50_F109-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 28.4A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA28N50_F109
  仓库库存编号：FQA28N50_F109-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 19A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 19A（Tc） 43W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FQPF19N20CYDTU
  仓库库存编号：FQPF19N20CYDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14.5A（Ta） 1.68W（Ta） TO-252-3
  
  型号：DMN3005LK3-13
  仓库库存编号：DMN3005LK3-13DICT-ND
  别名：DMN3005LK3-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 60V 1A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 1A 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：BC637RL1G
  仓库库存编号：BC637RL1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 25A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Ta），85A（Tc） 2.1W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6404
  仓库库存编号：AON6404-ND
  别名：AON6404L
  AON6404L-ND
  AON6704
  AON6704-ND
  Q5843524
  T1419663
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 14A 56W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 14A 56W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGBL6NC60DIT4
  仓库库存编号：497-10988-1-ND
  别名：497-10988-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V SC89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1072X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1072X-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V SC89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1058X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1058X-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V QFN3333
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Tc） 41W（Tc） 8-DFN3333（3.3x3.3）
  
  型号：PSMN013-30LL,115
  仓库库存编号：568-5307-1-ND
  别名：568-5307-1
  PSMN01330LL115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V QFN3333
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 40A（Tc） 65W（Tc） 8-DFN3333（3.3x3.3）
  
  型号：PSMN014-60LS,115
  仓库库存编号：568-5308-1-ND
  别名：568-5308-1
  PSMN01460LS115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH QFN3333
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Tc） 37W（Tc） 8-DFN3333（3.3x3.3）
  
  型号：PSMN017-30LL,115
  仓库库存编号：568-5580-1-ND
  别名：568-5580-1
  PSMN01730LL115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH QFN3333
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 27A（Tc） 65W（Tc） 8-DFN3333（3.3x3.3）
  
  型号：PSMN035-100LS,115
  仓库库存编号：568-5585-1-ND
  别名：568-5585-1
  PSMN035100LS115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V QFN3333
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 71W（Tc） 8-DFN3333（3.3x3.3）
  
  型号：PSMN3R5-30LL,115
  仓库库存编号：568-5591-1-ND
  别名：568-5591-1
  PSMN3R530LL115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V QFN3333
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 55W（Tc） 8-DFN3333（3.3x3.3）
  
  型号：PSMN5R8-30LL,115
  仓库库存编号：568-5593-1-ND
  别名：568-5593-1
  PSMN5R830LL115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11.5A LL 8MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.5A（Ta） 900mW（Ta），2.1W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC6296
  仓库库存编号：FDMC6296-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3A（Tc） 1.5W（Ta） 6-DSBGA（1x1.5）
  
  型号：CSD25303W1015
  仓库库存编号：296-28317-1-ND
  别名：296-28317-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 74W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF730ALPBF
  仓库库存编号：IRF730ALPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF730ASTRRPBF
  仓库库存编号：IRF730ASTRRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC30ASTRRPBF
  仓库库存编号：IRFBC30ASTRRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 36W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR1N60ATRRPBF
  仓库库存编号：IRFR1N60ATRRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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