产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Texas Instruments
MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.2A 750mW Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
型号:
CSD75205W1015
仓库库存编号:
296-25335-1-ND
别名:296-25335-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 3000V 80A 400W TO268
详细描述:IGBT 3000V 80A 400W Surface Mount TO-268
型号:
IXBT32N300
仓库库存编号:
IXBT32N300-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 5A 6SON
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5A(Tc) 2.4W(Ta) 6-SON
型号:
CSD25302Q2
仓库库存编号:
296-25444-1-ND
别名:296-25444-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 46A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 46A(Tc) 280W(Tc) TO-247AD
型号:
IRFP260
仓库库存编号:
IRFP260X-ND
别名:IRFP260X
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 38A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 250V 38A(Tc) 280W(Tc) TO-247AD
型号:
IRFP264
仓库库存编号:
IRFP264X-ND
别名:IRFP264X
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.62A(Ta) 990mW(Ta) U-DFN3030-8
型号:
DMG4468LFG
仓库库存编号:
DMG4468LFGDICT-ND
别名:DMG4468LFGDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 810mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS4935NR2G
仓库库存编号:
NTMS4935NR2G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7.4A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.4A(Ta),35A(Tc) 910mW(Ta),19.8W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4945NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4945NT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta),93A(Tc) 930mW(Ta),48W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4935NBT1G
仓库库存编号:
NTMFS4935NBT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7.4A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.4A(Ta),35A(Tc) 910mW(Ta),19.8W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4945NT3G
仓库库存编号:
NTMFS4945NT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 3A SGL 6UDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2A(Ta) 600mW(Ta) 6-UDFN(1.6x1.6)
型号:
NTLUS4195PZTAG
仓库库存编号:
NTLUS4195PZTAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.2A 6UDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.2A(Ta) 500mW(Ta) 6-UDFN(1.6x1.6)
型号:
NTLUF4189NZTBG
仓库库存编号:
NTLUF4189NZTBG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.4A SGL 6UDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Ta) 600mW(Ta) 6-UDFN(1.6x1.6)
型号:
NTLUS3192PZTAG
仓库库存编号:
NTLUS3192PZTAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.1A 500mW Surface Mount 6-UDFN (1.6x1.6)
型号:
NTLUD3191PZTBG
仓库库存编号:
NTLUD3191PZTBG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.1A 500mW Surface Mount 6-UDFN (1.6x1.6)
型号:
NTLUD3191PZTAG
仓库库存编号:
NTLUD3191PZTAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 4.6A SGL 6WDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2.7A(Ta) 700mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJS4149PTBG
仓库库存编号:
NTLJS4149PTBG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.4A SGL 6UDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Ta) 600mW(Ta) 6-UDFN(1.6x1.6)
型号:
NTLUS3192PZTBG
仓库库存编号:
NTLUS3192PZTBG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 3A SGL 6UDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2A(Ta) 600mW(Ta) 6-UDFN(1.6x1.6)
型号:
NTLUS4195PZTBG
仓库库存编号:
NTLUS4195PZTBG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
IGBT ARRAY 600V 65A 250W SP3
详细描述:IGBT Module NPT Three Level Inverter 600V 65A 250W Chassis Mount SP3
型号:
APTGF50TL60T3G
仓库库存编号:
APTGF50TL60T3G-ND
别名:APTGF50TL60T3GMP
APTGF50TL60T3GMP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 2500V .2A PLUS220
详细描述:表面贴装 N 沟道 2500V 200mA(Tc) 83W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXTV02N250S
仓库库存编号:
IXTV02N250S-ND
别名:Q4965894
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 18A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 18A(Tc) 38W(Tc) TO-220-3
型号:
SIHF18N50C-E3
仓库库存编号:
SIHF18N50C-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 43A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 43A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN52N90P
仓库库存编号:
IXFN52N90P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 12A(Tc) 380W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV12N90P
仓库库存编号:
IXFV12N90P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 18A(Tc) 540W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV18N90P
仓库库存编号:
IXFV18N90P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 12A(Tc) 380W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV12N90PS
仓库库存编号:
IXFV12N90PS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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