产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 12A, 22A 1W Surface Mount Power56
型号:
FDMS7600AS
仓库库存编号:
FDMS7600ASCT-ND
别名:FDMS7600ASCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4866DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4866DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4866DY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
STB11NK40ZT4
仓库库存编号:
497-7930-1-ND
别名:497-7930-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC047N08NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC047N08NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC047N08NS3 GCT
BSC047N08NS3 GCT-ND
BSC047N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8 FL
型号:
BSC010N04LSATMA1
仓库库存编号:
BSC010N04LSATMA1CT-ND
别名:BSC010N04LSATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 640mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN0300L-G
仓库库存编号:
VN0300L-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 530mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0702N3-G
仓库库存编号:
TN0702N3-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC028N06LS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC028N06LS3GATMA1CT-ND
别名:BSC028N06LS3 GCT
BSC028N06LS3 GCT-ND
BSC028N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.4A(Ta),98A(Tc) 139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC077N12NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC077N12NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC077N12NS3 GCT
BSC077N12NS3 GCT-ND
BSC077N12NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF630PBF
仓库库存编号:
IRF630PBF-ND
别名:*IRF630PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.8A(Ta),100A(Tc) 156W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC082N10LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC082N10LSGATMA1CT-ND
别名:BSC082N10LS GCT
BSC082N10LS GCT-ND
BSC082N10LSGATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC190N15NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC190N15NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC190N15NS3 GCT
BSC190N15NS3 GCT-ND
BSC190N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF830PBF
仓库库存编号:
IRF830PBF-ND
别名:*IRF830PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 3A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STP3NK90ZFP
仓库库存编号:
497-5979-5-ND
别名:497-5979-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 40A POWER33
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),40A(Tc) 3W(Ta),60W(Tc) Dual Cool ? 33
型号:
FDMC2514SDC
仓库库存编号:
FDMC2514SDCCT-ND
别名:FDMC2514SDCCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 23A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9540NPBF
仓库库存编号:
IRF9540NPBF-ND
别名:*IRF9540NPBF
64-0103PBF
64-0103PBF-ND
SP001560174
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 200mA(Ta) 750mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVP4424A
仓库库存编号:
ZVP4424A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
IGBT 600V 20A 65W TO220
详细描述:IGBT 600V 20A 65W Through Hole TO-220AB
型号:
STGP10NC60HD
仓库库存编号:
497-5118-5-ND
别名:497-5118-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 6.5A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9630PBF
仓库库存编号:
IRF9630PBF-ND
别名:*IRF9630PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7434DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7434DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7434DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR866DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR866DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR866DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 42A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRF4905STRLPBF
仓库库存编号:
IRF4905STRLPBFCT-ND
别名:IRF4905STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Micro Commercial Co
TRANS NPN DARL 60V 5A TO-220
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 5A 65W Through Hole TO-220
型号:
TIP120-BP
仓库库存编号:
TIP120-BP-ND
别名:TIP120BP
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 2.1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2.1A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:
STP2NK90Z
仓库库存编号:
497-4378-5-ND
别名:497-4378-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 45W(Tc) I-Pak
型号:
STD2HNK60Z-1
仓库库存编号:
497-12783-5-ND
别名:497-12783-5
STD2HNK60Z-1-ND
STD2HNK60Z1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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