产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
IGBT 600V 48A 150W TO247
详细描述：IGBT 600V 48A 150W Through Hole TO-247AD (IXSH)
型号：
IXSH24N60AU1
仓库库存编号：
IXSH24N60AU1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 48A 150W TO247
详细描述：IGBT PT 600V 48A 150W Through Hole TO-247AD (IXSH)
型号：
IXSH24N60B
仓库库存编号：
IXSH24N60B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 48A 150W TO247
详细描述：IGBT 600V 48A 150W Through Hole TO-247AD (IXSH)
型号：
IXSH24N60BD1
仓库库存编号：
IXSH24N60BD1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 48A 150W TO247
详细描述：IGBT 600V 48A 150W Through Hole TO-247AD (IXSH)
型号：
IXSH24N60U1
仓库库存编号：
IXSH24N60U1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 50A 200W TO247
详细描述：IGBT 1200V 50A 200W Through Hole TO-247AD (IXSH)
型号：
IXSH25N120AU1
仓库库存编号：
IXSH25N120AU1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 50A 200W TO247
详细描述：IGBT 600V 50A 200W Through Hole TO-247AD (IXSH)
型号：
IXSH30N60AU1
仓库库存编号：
IXSH30N60AU1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 50A 200W TO247
详细描述：IGBT 600V 50A 200W Through Hole TO-247AD (IXSH)
型号：
IXSH30N60U1
仓库库存编号：
IXSH30N60U1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 70A 300W TO247
详细描述：IGBT 1200V 70A 300W Through Hole TO-247AD (IXSH)
型号：
IXSH35N120A
仓库库存编号：
IXSH35N120A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 55A 200W TO264
详细描述：IGBT 600V 55A 200W Through Hole TO-264AA(IXSK)
型号：
IXSK30N60BD1
仓库库存编号：
IXSK30N60BD1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
IGBT 600V 75A 300W TO264
详细描述：IGBT 600V 75A 300W Through Hole TO-264AA(IXSK)
型号：
IXSK50N60BD1
仓库库存编号：
IXSK50N60BD1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
IGBT 600V 75A 300W TO264
详细描述：IGBT 600V 75A 300W Through Hole TO-264AA(IXSK)
型号：
IXSK50N60BU1
仓库库存编号：
IXSK50N60BU1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 70A 1200V SOT-227B
详细描述：IGBT Module PT Single 1200V 70A 300W Chassis Mount SOT-227B
型号：
IXSN35N120AU1
仓库库存编号：
IXSN35N120AU1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 80A 1200V SOT-227B
详细描述：IGBT Module Single 1200V 110A 500W Chassis Mount SOT-227B
型号：
IXSN55N120AU1
仓库库存编号：
IXSN55N120AU1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 90A 600V SOT-227B
详细描述：IGBT Module PT Single 600V 90A 250W Chassis Mount SOT-227B
型号：
IXSN62N60U1
仓库库存编号：
IXSN62N60U1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
IGBT 100A 600V SOT-227B
详细描述：IGBT Module Single 600V 160A 500W Chassis Mount SOT-227B
型号：
IXSN80N60AU1
仓库库存编号：
IXSN80N60AU1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 48A 150W TO220AB
详细描述：IGBT PT 600V 48A 150W Through Hole TO-220AB
型号：
IXSP24N60B
仓库库存编号：
IXSP24N60B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
IGBT 600V 75A 300W PLUS247
详细描述：IGBT 600V 75A 300W Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXSX50N60AU1
仓库库存编号：
IXSX50N60AU1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
IGBT 600V 75A 300W PLUS247
详细描述：IGBT 600V 75A 300W Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXSX50N60BD1
仓库库存编号：
IXSX50N60BD1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
IGBT 600V 75A 300W PLUS247
详细描述：IGBT 600V 75A 300W Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXSX50N60BU1
仓库库存编号：
IXSX50N60BU1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 140W（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXTC13N50
仓库库存编号：
IXTC13N50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 72A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXTC75N10
仓库库存编号：
IXTC75N10-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 36A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 200V 36A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD
型号：
IXTJ36N20
仓库库存编号：
IXTJ36N20-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 280V 80A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ80N28T
仓库库存编号：
IXTQ80N28T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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ON Semiconductor
TRANS NPN 80V 1A TO-92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3
型号：
BC639-16ZL1G
仓库库存编号：
BC639-16ZL1GOSCT-ND
别名：BC639-16ZL1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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ON Semiconductor
TRANS NPN 80V 1A TO-92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3
型号：
BC639RL1G
仓库库存编号：
BC639RL1GOSCT-ND
别名：BC639RL1GOSCT
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