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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.1A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：DMN3052LSS-13
  仓库库存编号：DMN3052LSSDICT-ND
  别名：DMN3052LSSDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  TRANS PNP 60V 0.6A TO18-2
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 600mA 200MHz 400mW Through Hole TO-18
  
  型号：2N2907A
  仓库库存编号：2N2907A-ND
  别名：Q4445979AAA
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 190W（Tc） TO-247AD
  
  型号：IRFP250
  仓库库存编号：IRFP250-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 24A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD
  
  型号：IRFP470
  仓库库存编号：IRFP470-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 140W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC13N50
  仓库库存编号：IXFC13N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 21A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC24N50
  仓库库存编号：IXFC24N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 23A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 23A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC26N50
  仓库库存编号：IXFC26N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 60A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC60N20
  仓库库存编号：IXFC60N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 80V 80A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 80A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC80N08
  仓库库存编号：IXFC80N08-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 85V 80A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 80A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC80N085
  仓库库存编号：IXFC80N085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 80A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC80N10
  仓库库存编号：IXFC80N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 12A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH12N100F
  仓库库存编号：IXFH12N100F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 14A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH14N100
  仓库库存编号：IXFH14N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 150V 70A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 70A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH70N15
  仓库库存编号：IXFH70N15-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 80V 80A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH80N08
  仓库库存编号：IXFH80N08-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 85V 80A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH80N085
  仓库库存编号：IXFH80N085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 80A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH80N10
  仓库库存编号：IXFH80N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 32A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 32A（Tc） 360W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFJ32N50Q
  仓库库存编号：IXFJ32N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 300V 40A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 40A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFJ40N30
  仓库库存编号：IXFJ40N30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 550V 48A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 48A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK48N55
  仓库库存编号：IXFK48N55-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 550V 48A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 550V 48A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN48N55
  仓库库存编号：IXFN48N55-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 87A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 87A（Tc） 400W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR100N25
  仓库库存编号：IXFR100N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 150V 80A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 80A（Tc） 360W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT80N15Q
  仓库库存编号：IXFT80N15Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 300V 120A 250W TO263AA
  详细描述：IGBT Trench 300V 120A 250W Surface Mount TO-263 (IXGA)
  
  型号：IXGA120N30TC
  仓库库存编号：IXGA120N30TC-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 24A 100W TO263AA
  详细描述：IGBT 600V 24A 100W Surface Mount TO-263 (IXGA)
  
  型号：IXGA12N60B
  仓库库存编号：IXGA12N60B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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