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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 2.3W（Ta） PowerDI5060-8
  
  型号：DMP2002UPS-13
  仓库库存编号：DMP2002UPS-13DICT-ND
  别名：DMP2002UPS-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
  详细描述：表面贴装 P 沟道 104A（Tc） 2.8W（Ta），96W（Tc） 8-VSON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD25404Q3T
  仓库库存编号：296-43210-1-ND
  别名：296-43210-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7858ADP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7858ADP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7858ADP-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU13N06LTU
  仓库库存编号：FQU13N06LTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 8A 400V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 8A Through Hole GBU
  
  型号：GBU8G-BP
  仓库库存编号：GBU8G-BPMS-ND
  别名：GBU8G-BPMS
  GBU8GBP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 8A 1000V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 8A Through Hole GBU
  
  型号：GBU8M-BP
  仓库库存编号：GBU8M-BPMS-ND
  别名：GBU8M-BPMS
  GBU8MBP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 8A 800V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 8A Through Hole GBU
  
  型号：GBU8K-BP
  仓库库存编号：GBU8K-BPMS-ND
  别名：GBU8K-BPMS
  GBU8KBP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 80V 15A TO220AB
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 15A 50MHz 83W Through Hole TO-220AB
  
  型号：D44VH10G
  仓库库存编号：D44VH10GOS-ND
  别名：D44VH10GOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 8A 600V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 8A Through Hole GBU
  
  型号：GBU8J-BP
  仓库库存编号：GBU8J-BPMS-ND
  别名：GBU8J-BPMS
  GBU8JBP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0610N3-G
  仓库库存编号：TN0610N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD16325Q5C
  仓库库存编号：296-25645-1-ND
  别名：296-25645-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 4.5A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta），27A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS2572
  仓库库存编号：FDMS2572CT-ND
  别名：FDMS2572CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 90W（Tc） DPAK
  
  型号：STD5N95K3
  仓库库存编号：497-10412-1-ND
  别名：497-10412-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RFP12N10L
  仓库库存编号：RFP12N10L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU13N06LTU_WS
  仓库库存编号：FQU13N06LTU_WS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD4P40TM
  仓库库存编号：FQD4P40TMCT-ND
  别名：FQD4P40TM-ND
  FQD4P40TMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
  详细描述：通孔 P 沟道 12A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU17P06TU
  仓库库存编号：FQU17P06TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R385CPATMA1
  仓库库存编号：IPD60R385CPATMA1CT-ND
  别名：IPD60R385CPATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.9A（Ta），90A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC060N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC060N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC060N10NS3 GCT
  BSC060N10NS3 GCT-ND
  BSC060N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC040N10NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC040N10NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC040N10NS5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 700mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：TN0604N3-G
  仓库库存编号：TN0604N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 85W（Tc） DPAK
  
  型号：STD12N50M2
  仓库库存编号：497-15307-1-ND
  别名：497-15307-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 2.2A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBC20PBF
  仓库库存编号：IRFBC20PBF-ND
  别名：*IRFBC20PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD17312Q5
  仓库库存编号：296-27613-1-ND
  别名：296-27613-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA00DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA00DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA00DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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