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• STMicroelectronics
  IGBT 1200V 60A 220W TO247
  详细描述：IGBT 1200V 60A 220W Through Hole TO-247 Long Leads
  
  型号：STGW33IH120D
  仓库库存编号：497-8440-5-ND
  别名：497-8440-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 330V 149W TO3P
  详细描述：IGBT Trench 330V 149W Through Hole TO-3P
  
  型号：FGA70N33BTDTU
  仓库库存编号：FGA70N33BTDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 330V 48W TO220F
  详细描述：IGBT Trench 330V 48W Through Hole TO-220F
  
  型号：FGPF70N33BTTU
  仓库库存编号：FGPF70N33BTTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6688AS
  仓库库存编号：FDS6688ASCT-ND
  别名：FDS6688ASCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 12A（Tc） 543W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV12N120P
  仓库库存编号：IXFV12N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1200V 12A（Tc） 543W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXFV12N120PS
  仓库库存编号：IXFV12N120PS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 15A（Tc） 543W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV15N100P
  仓库库存编号：IXFV15N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 15A（Tc） 543W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXFV15N100PS
  仓库库存编号：IXFV15N100PS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 200A 660W TO264AA
  详细描述：IGBT PT 600V 200A 660W Through Hole TO-264 (IXGK)
  
  型号：IXGK120N60B
  仓库库存编号：IXGK120N60B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 200A SOT-227B
  详细描述：IGBT Module PT Single 600V 200A 700W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXGN200N60A2
  仓库库存编号：IXGN200N60A2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT FAST 600V 200A SOT-227B
  详细描述：IGBT Module PT Single 600V 200A 600W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXGN200N60B
  仓库库存编号：IXGN200N60B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 156A 520W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT PT 600V 156A 520W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXGR120N60B
  仓库库存编号：IXGR120N60B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.4A（Tc） TO-220ABFP
  
  型号：IXKP10N60C5M
  仓库库存编号：IXKP10N60C5M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 50A 200W TO247AD
  详细描述：IGBT 1200V 50A 200W Through Hole TO-247AD (IXSH)
  
  型号：IXSH25N120A
  仓库库存编号：IXSH25N120A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 55A 200W TO247AD
  详细描述：IGBT PT 600V 55A 200W Through Hole TO-247AD (IXSH)
  
  型号：IXSH30N60B
  仓库库存编号：IXSH30N60B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 55A 200W TO247AD
  详细描述：IGBT PT 600V 55A 200W Through Hole TO-247AD (IXSH)
  
  型号：IXSH30N60C
  仓库库存编号：IXSH30N60C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT FRD 600V 80A SCSOA SOT227B
  详细描述：IGBT Module PT Single 600V 80A 250W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXSN52N60AU1
  仓库库存编号：IXSN52N60AU1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 55A 200W TO268
  详细描述：IGBT PT 600V 55A 200W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXST30N60B
  仓库库存编号：IXST30N60B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 50A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 50A（Tc） 180W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXTC110N25T
  仓库库存编号：IXTC110N25T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 110A（Tc） 694W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXTV110N25TS
  仓库库存编号：IXTV110N25TS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1065X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1065X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1065X-T1-GE3CT
  SI1065XT1GE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1071X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1071X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1071X-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.8A（Tc） 1W（Ta），2.1W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2351DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2351DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2351DS-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8.1A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4825DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4825DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4825DY-T1-GE3CT
  SI4825DYT1GE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5435BDC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5435BDC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5435BDC-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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