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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 4A 100V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 4A Through Hole GBU
  
  型号：GBU4B-BP
  仓库库存编号：GBU4B-BPMS-ND
  别名：GBU4B-BPMS
  GBU4BBP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 23A（Tc） 3.1W（Ta），110W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9540NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF9540NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF9540NSTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3.7A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta），20A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS2672
  仓库库存编号：FDMS2672CT-ND
  别名：FDMS2672CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR880ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR880ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR880ADP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 2.8W（Ta）, 83W（Tc） 8-VSON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD19537Q3T
  仓库库存编号：296-42632-1-ND
  别名：296-42632-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 280mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVP2106A
  仓库库存编号：ZVP2106A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU110PBF
  仓库库存编号：IRFU110PBF-ND
  别名：*IRFU110PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 190mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN2410L-G
  仓库库存编号：VN2410L-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 40V 0.45A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 450mA（Ta） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0104N3-G
  仓库库存编号：TN0104N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP 60V 10A TO220AB
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 10A 2MHz 75W Through Hole TO-220AB
  
  型号：MJE2955TG
  仓库库存编号：MJE2955TGOS-ND
  别名：MJE2955TGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS5670
  仓库库存编号：FDS5670CT-ND
  别名：FDS5670CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC016N04LS G
  仓库库存编号：BSC016N04LS GCT-ND
  别名：BSC016N04LS GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF710PBF
  仓库库存编号：IRF710PBF-ND
  别名：*IRF710PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN DARL 100V 15A TO-220AB
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 15A 4MHz 85W Through Hole TO-220AB
  
  型号：BDW42G
  仓库库存编号：BDW42GOS-ND
  别名：BDW42G-ND
  BDW42GOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP DARL 100V 15A TO220AB
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 15A 4MHz 85W Through Hole TO-220AB
  
  型号：BDW47G
  仓库库存编号：BDW47GOS-ND
  别名：BDW47GOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V LFPAK56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 158W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN0R7-25YLDX
  仓库库存编号：1727-2514-1-ND
  别名：1727-2514-1
  568-12952-1
  568-12952-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD210PBF
  仓库库存编号：IRFD210PBF-ND
  别名：*IRFD210PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 30W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD1NK60-1
  仓库库存编号：497-12782-5-ND
  别名：497-12782-5
  STD1NK60-1-ND
  STD1NK601
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 3.3A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF720PBF
  仓库库存编号：IRF720PBF-ND
  别名：*IRF720PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5A A.D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 73W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB5N50CTM
  仓库库存编号：FQB5N50CTMCT-ND
  别名：FQB5N50CTMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK
  详细描述：通孔 P 沟道 9.4A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU11P06TU
  仓库库存编号：FQU11P06TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 9.5A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF10N20C
  仓库库存编号：FQPF10N20CFS-ND
  别名：FQPF10N20C-ND
  FQPF10N20CFS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 23A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC028N06NSATMA1
  仓库库存编号：BSC028N06NSATMA1CT-ND
  别名：BSC028N06NS
  BSC028N06NS-ND
  BSC028N06NSATMA1CT
  BSC028N06NSCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11.5A（Tc） 3.13W（Ta），120W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB12P20TM
  仓库库存编号：FQB12P20TMCT-ND
  别名：FQB12P20TMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR494DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR494DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR494DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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