产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7898DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7898DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7898DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 7A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta),22A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS86102LZ
仓库库存编号:
FDMS86102LZCT-ND
别名:FDMS86102LZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 40V 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta) 2.4W(Ta) 8-SOIC
型号:
FDS4675_F085
仓库库存编号:
FDS4675_F085CT-ND
别名:FDS4675_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 270mA(Ta) 625mW(Ta) TO-92-3
型号:
BS170P
仓库库存编号:
BS170P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/30A 8PQFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 17.5A, 30A 1W Surface Mount Power56
型号:
FDMS3624S
仓库库存编号:
FDMS3624SCT-ND
别名:FDMS3624SCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),50A(Tc) 3.1W(Ta),60W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB8447L
仓库库存编号:
FDB8447LCT-ND
别名:FDB8447LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.9A, 4.1A 1.25W Surface Mount 8-SO
型号:
ZXMC3A16DN8TA
仓库库存编号:
ZXMC3A16DN8CT-ND
别名:ZXMC3A16DN8CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 4.5A 2.5W Surface Mount 8-SO
型号:
FDS3992
仓库库存编号:
FDS3992CT-ND
别名:FDS3992CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE BRIDGE 3A 50V KBPM
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 50V 3A Through Hole KBPM
型号:
3KBP005M-E4/51
仓库库存编号:
3KBP005M-E4/51GI-ND
别名:3KBP005M-E4/51-ND
3KBP005M-E4/51GI
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.3A(Ta),46A(Tc) 3.1W(Ta),8.3W(Tc) PQFN(5x6)单芯片焊盘
型号:
IRFH5053TRPBF
仓库库存编号:
IRFH5053TRPBFCT-ND
别名:IRFH5053TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7922DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7922DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7922DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.2A(Ta) 1.05W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6423DQ-T1-E3
仓库库存编号:
SI6423DQ-T1-E3CT-ND
别名:SI6423DQ-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 6.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.8A(Ta) 2.15W(Ta) TO-252-3
型号:
ZXMP6A18KTC
仓库库存编号:
ZXMP6A18KTCCT-ND
别名:ZXMP6A18KTCCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC031N06NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC031N06NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC031N06NS3 GCT
BSC031N06NS3 GCT-ND
BSC031N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1A 100V 50NS 4DIP
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 100V 1A Through Hole DFM
型号:
EDF1BM-E3/45
仓库库存编号:
EDF1BM-E3/45GI-ND
别名:EDF1BM-E3/45-ND
EDF1BM-E3/45GI
EDF1BME345
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 320mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TP0606N3-G
仓库库存编号:
TP0606N3-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 140W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB14N30TM
仓库库存编号:
FDB14N30TMCT-ND
别名:FDB14N30TMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
详细描述:Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 2.7A, 2A 1.3W Surface Mount SM8
型号:
ZXMHC3A01T8TA
仓库库存编号:
ZXMHC3A01T8CT-ND
别名:ZXMHC3A01T8CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Micro Commercial Co
RECT BRIDGE GPP 4A 800V GBU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 800V 4A Through Hole GBU
型号:
GBU4K-BP
仓库库存编号:
GBU4K-BPMS-ND
别名:GBU4K-BPMS
GBU4KBP
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Micro Commercial Co
RECT BRIDGE GPP 4A 600V GBU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 4A Through Hole GBU
型号:
GBU4J-BP
仓库库存编号:
GBU4J-BPMS-ND
别名:GBU4J-BPMS
GBU4JBP
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 30W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
FDU3N40TU
仓库库存编号:
FDU3N40TU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Micro Commercial Co
RECT BRIDGE GPP 6A 800V GBU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 800V 6A Through Hole GBU
型号:
GBU6K-BP
仓库库存编号:
GBU6K-BPMS-ND
别名:GBU6K-BPMS
GBU6KBP
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Micro Commercial Co
RECT BRIDGE GPP 6A 400V GBU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 400V 6A Through Hole GBU
型号:
GBU6G-BP
仓库库存编号:
GBU6G-BPMS-ND
别名:GBU6G-BPMS
GBU6GBP
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Micro Commercial Co
RECT BRIDGE GPP 6A 1000V GBU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1000V 6A Through Hole GBU
型号:
GBU6M-BP
仓库库存编号:
GBU6M-BPMS-ND
别名:GBU6M-BPMS
GBU6MBP
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Micro Commercial Co
RECT BRIDGE GPP 6A 600V GBU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 6A Through Hole GBU
型号:
GBU6J-BP
仓库库存编号:
GBU6J-BPMS-ND
别名:GBU6J-BPMS
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