产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta），22.5A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC130P03LS G
仓库库存编号：
BSC130P03LS GINCT-ND
别名：BSC130P03LS GINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC070N10NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC070N10NS5ATMA1CT-ND
别名：BSC070N10NS5ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 15.2A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC900N20NS3 G
仓库库存编号：
BSC900N20NS3GCT-ND
别名：BSC900N20NS3GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 20A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），42A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
型号：
FDMS8670S
仓库库存编号：
FDMS8670SCT-ND
别名：FDMS8670SCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 7.4A 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 7.4A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7423DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7423DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7423DN-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 83W（Tc） D-Pak
型号：
FCD7N60TM
仓库库存编号：
FCD7N60TMCT-ND
别名：FCD7N60TMCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3.5A 1.6W Surface Mount 8-SO
型号：
FDS89141
仓库库存编号：
FDS89141CT-ND
别名：FDS89141CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
JFET N-CH 25V 625MW TO92
详细描述：JFET N-Channel 500mA @ 15V 625mW Through Hole TO-92-3
型号：
J105
仓库库存编号：
J105FS-ND
别名：J105FS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC070N10NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC070N10NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC070N10NS3 GCT
BSC070N10NS3 GCT-ND
BSC070N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
型号：
IRF7493TRPBF
仓库库存编号：
IRF7493PBFCT-ND
别名：*IRF7493TRPBF
IRF7493PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 21A（Ta），40A（Tc） 3.1W（Ta） PQFN（5x6）
型号：
IRFH9310TRPBF
仓库库存编号：
IRFH9310TRPBFCT-ND
别名：IRFH9310TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.7A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
型号：
SI4896DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4896DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4896DY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5W（Ta） 8-TSSOP
型号：
SI6415DQ-T1-E3
仓库库存编号：
SI6415DQ-T1-E3CT-ND
别名：SI6415DQ-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC016N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC016N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC016N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC016N03MSGINCT
BSC016N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 140mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVP3310A
仓库库存编号：
ZVP3310A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN 80V 10A D2PAK-3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 10A 50MHz 2W Surface Mount D2PAK
型号：
MJB44H11T4G
仓库库存编号：
MJB44H11T4GOSCT-ND
别名：MJB44H11T4GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP
型号：
SI3460DV-T1-E3
仓库库存编号：
SI3460DV-T1-E3CT-ND
别名：SI3460DV-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 28A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17301Q5A
仓库库存编号：
296-25795-1-ND
别名：296-25795-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 39A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC010NE2LS
仓库库存编号：
BSC010NE2LSCT-ND
别名：BSC010NE2LSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16403Q5A
仓库库存编号：
296-24249-1-ND
别名：296-24249-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIJ478DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIJ478DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIJ478DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 2A 8-SO
详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 5.9W（Tc） 8-SO
型号：
SI4455DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4455DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4455DY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7818DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7818DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7818DN-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7818DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7818DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7818DN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7858BDP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7858BDP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7858BDP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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