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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS8926A
  仓库库存编号：FDS8926ACT-ND
  别名：FDS8926ACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 9A BGA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 9A（Ta） 2W（Ta） 12-BGA（2x2.5）
  
  型号：FDZ201N
  仓库库存编号：FDZ201NCT-ND
  别名：FDZ201NCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.1A 2.5W Surface Mount 8-SO
  
  型号：HUFA76413DK8T
  仓库库存编号：HUFA76413DK8TCT-ND
  别名：HUFA76413DK8TCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 7A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 7A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF7N50
  仓库库存编号：FDPF7N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF10N60CF
  仓库库存编号：FQPF10N60CF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3A（Ta） 1.5W（Ta） 6-SSOT
  
  型号：FDFC2P100
  仓库库存编号：FDFC2P100CT-ND
  别名：FDFC2P100CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6.1A（Ta） 1.9W（Ta） 8-MLP，MicroFET（3x1.9）
  
  型号：FDMB668P
  仓库库存编号：FDMB668PCT-ND
  别名：FDMB668PCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS8812NZ
  仓库库存编号：FDS8812NZCT-ND
  别名：FDS8812NZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 280mA 250mW Surface Mount SOT-563
  
  型号：DMN5L06VAK-7
  仓库库存编号：DMN5L06VAKDICT-ND
  别名：DMN5L06VAKDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 300V 120A 60W TO220F
  详细描述：IGBT 300V 120A 60W Through Hole TO-220F
  
  型号：FGPF120N30TU
  仓库库存编号：FGPF120N30TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 40A 125W TO220
  详细描述：IGBT 600V 40A 125W Through Hole TO-220AB
  
  型号：STGP19NC60WD
  仓库库存编号：497-6027-5-ND
  别名：497-6027-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 55A 300W TO247AD
  详细描述：IGBT NPT 1200V 55A 300W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IXRH40N120
  仓库库存编号：IXRH40N120-ND
  别名：Q3364795
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 64A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 64A（Tc） 357W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA2712
  仓库库存编号：FDA2712-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 4.5A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 4.5A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD6N20TF
  仓库库存编号：FDD6N20TFCT-ND
  别名：FDD6N20TFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 25A FLFBGA 3.5X4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Ta） 2.5W（Ta） 20-FLFBGA（3.5x4.0）
  
  型号：FDZ4670
  仓库库存编号：FDZ4670CT-ND
  别名：FDZ4670CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 6.4A（Tc） 198W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA6N90_F109
  仓库库存编号：FQA6N90_F109-ND
  别名：FQA6N90-F109
  FQA6N90-F109-ND
  Q3402555
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 300V 46W TO220F
  详细描述：IGBT 300V 46W Through Hole TO-220F
  
  型号：FGPF30N30DTU
  仓库库存编号：FGPF30N30DTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11A BGA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 2.1W（Ta） 18-BGA（2.5x4）
  
  型号：FDZ7296
  仓库库存编号：FDZ7296CT-ND
  别名：FDZ7296CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT PHASE TOP ISOPLUS I4-PAC-5
  详细描述：IGBT Array NPT Half Bridge 1200V 33A 150W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FII30-12E
  仓库库存编号：FII30-12E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT PHASE NPT3 ISOPLUS I4-PAC-5
  详细描述：IGBT Array NPT Half Bridge 1200V 50A 200W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FII50-12E
  仓库库存编号：FII50-12E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 50A 200W I4PAC5
  详细描述：IGBT NPT 1200V 50A 200W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FIO50-12BD
  仓库库存编号：FIO50-12BD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 250mA（Tc） 40W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXCP01N90E
  仓库库存编号：IXCP01N90E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 250mA（Tc） 40W（Tc） TO-252
  
  型号：IXCY01N90E
  仓库库存编号：IXCY01N90E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 60A 300W TO268AA
  详细描述：IGBT NPT 1200V 60A 300W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXDT30N120
  仓库库存编号：IXDT30N120-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 36A 200W TO247AD
  详细描述：IGBT NPT 1200V 36A 200W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IXEH25N120
  仓库库存编号：IXEH25N120-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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