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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 124A 379W SOT227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 124A 379W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT75GN120J
  仓库库存编号：APT75GN120J-ND
  别名：APT75GN120JG
  APT75GN120JG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 7A（Tc） 225W（Tc） TO-220 [K]
  
  型号：APT7F80K
  仓库库存编号：APT7F80K-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 42A（Tc） 595W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT8014JLL
  仓库库存编号：APT8014JLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 29A（Tc） 460W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT8024JLL
  仓库库存编号：APT8024JLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 31A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 31A（Tc） 565W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT8024LLLG
  仓库库存编号：APT8024LLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 8A（Tc） 225W（Tc） TO-220 [K]
  
  型号：APT8M80K
  仓库库存编号：APT8M80K-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Analog Devices Inc.
  TRANS 2PNP 36V 0.02A TO78-6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 36V 20mA 190MHz 500mW Through Hole TO-78-6
  
  型号：MAT03FHZ
  仓库库存编号：MAT03FHZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 16A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 16A（Tc） 260W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA15N65
  仓库库存编号：FDA15N65-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF7N50U
  仓库库存编号：FDPF7N50U-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 300V 46W TO220F
  详细描述：IGBT 300V 46W Through Hole TO-220F
  
  型号：FGPF30N30
  仓库库存编号：FGPF30N30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 300V 56.8W TO220F
  详细描述：IGBT 300V 56.8W Through Hole TO-220F
  
  型号：FGPF90N30
  仓库库存编号：FGPF90N30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 2A（Tc） 30W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD3N40TF
  仓库库存编号：FDD3N40TFCT-ND
  别名：FDD3N40TFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 4.4A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD6N25TF
  仓库库存编号：FDD6N25TFCT-ND
  别名：FDD6N25TFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 4.6A 9-BGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.6A（Ta） 1.7W（Ta） 9-BGA（1.5x1.5）
  
  型号：FDZ493P
  仓库库存编号：FDZ493PCT-ND
  别名：FDZ493PCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 9A（Tc） 173W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB9N50CFTM
  仓库库存编号：FQB9N50CFTMCT-ND
  别名：FQB9N50CFTMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 150V 150A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN150N15
  仓库库存编号：IXFN150N15-ND
  别名：Q3181657
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 52A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 52A（Tc） 400W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV52N30P
  仓库库存编号：IXFV52N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 12A 600V GBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 12A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC1206-E3/51
  仓库库存编号：GBPC1206-E3/51GI-ND
  别名：GBPC1206-E3/51GI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 350V 12A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 350V 12A（Tc） 31.3W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF12N35
  仓库库存编号：FDPF12N35-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 14A 45W TO220F
  详细描述：IGBT 600V 14A 45W Through Hole TO-220F
  
  型号：FGPF7N60LSDTU
  仓库库存编号：FGPF7N60LSDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.6A（Ta） 1.7W（Ta） 9-BGA（1.5x1.6）
  
  型号：FDZ291P
  仓库库存编号：FDZ291PCT-ND
  别名：FDZ291PCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS NPN 25V 0.5A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 25V 500mA 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：2N5172_D26Z
  仓库库存编号：2N5172_D26ZCT-ND
  别名：2N5172_D26ZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.5A（Ta） 2.1W（Ta） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDM6296
  仓库库存编号：FDM6296CT-ND
  别名：FDM6296CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.2A 800mW Surface Mount SuperSOT?-8
  
  型号：FDR8308P
  仓库库存编号：FDR8308PCT-ND
  别名：FDR8308PCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8A（Ta） 1.8W（Ta） SuperSOT?-8
  
  型号：FDR858P
  仓库库存编号：FDR858PCT-ND
  别名：FDR858PCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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