产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1A 1000V 4SMD
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1000V 1A Surface Mount DFS
型号:
DF10S-E3/45
仓库库存编号:
DF10S-E3/45GI-ND
别名:DF10S-E3/45-ND
DF10S-E3/45GI
DF10SE345
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 1AMP 600V DFS
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 1A Surface Mount DFS
型号:
DF06S-E3/45
仓库库存编号:
DF06S-E3/45GI-ND
别名:DF06S-E3/45GI
DF06S-E3\45
DF06S-E3\45GI
DF06S-E3\45GI-ND
DF06SE345
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE BRIDGE 2A 100V 1PH WOG
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 100V 2A Through Hole WOG
型号:
2W01G-E4/51
仓库库存编号:
2W01G-E4/51GI-ND
别名:2W01G-E4/51-ND
2W01GE451
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7842TRPBF
仓库库存编号:
IRF7842PBFCT-ND
别名:*IRF7842TRPBF
IRF7842PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7351TRPBF
仓库库存编号:
IRF7351TRPBFCT-ND
别名:IRF7351TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 3.2W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD17506Q5A
仓库库存编号:
296-28408-1-ND
别名:296-28408-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2P-CH 20V 8-MSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.04W Surface Mount 8-MSOP
型号:
ZXMD63P02XTA
仓库库存编号:
ZXMD63P02XTACT-ND
别名:ZXMD63P02X
ZXMD63P02XCT
ZXMD63P02XCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2P-CH 20V 8-MSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.04W Surface Mount 8-MSOP
型号:
ZXMD63P02XTA
仓库库存编号:
981-ZXMD63P02XTA-CHP
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 160mA(Ta) 625mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVP3306A
仓库库存编号:
ZVP3306A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN 80V 8A IPAK
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 85MHz 1.75W Through Hole I-Pak
型号:
MJD44H11-1G
仓库库存编号:
MJD44H11-1GOS-ND
别名:MJD44H11-1GOS
MJD44H111G
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
详细描述:IGBT NPT 1200V 5.3A 60W Surface Mount TO-252AA
型号:
HGTD1N120BNS9A
仓库库存编号:
HGTD1N120BNS9ACT-ND
别名:HGTD1N120BNS9ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-MSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 1.1W(Ta) 8-MSOP
型号:
ZXM64P02XTA
仓库库存编号:
ZXM64P02XCT-ND
别名:ZXM64P02X
ZXM64P02XCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Comchip Technology
RECT BRIDGE GPP 400V 2A DFS
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 400V 2A Surface Mount DFS
型号:
DF204S-G
仓库库存编号:
641-1348-5-ND
别名:641-1348-5
DF204SG
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 26A 23W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7228DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7228DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7228DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN DARL 100V 4A TO225AA
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 4A 40W Through Hole TO-225AA
型号:
BD681G
仓库库存编号:
BD681GOS-ND
别名:BD681GOS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 3.3A(Tc) 36W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF610PBF
仓库库存编号:
IRF610PBF-ND
别名:*IRF610PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Comchip Technology
RECT BRIDGE GPP 1000V 2A DFS
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1000V 2A Surface Mount DFS
型号:
DF210S-G
仓库库存编号:
641-1350-5-ND
别名:641-1350-5
DF210SG
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V PWRSTAGE POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Ta),42A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS7660AS
仓库库存编号:
FDMS7660ASCT-ND
别名:FDMS7660ASCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 14A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta),42A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS86520
仓库库存编号:
FDMS86520CT-ND
别名:FDMS86520CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 270mA(Ta) 625mW(Ta) TO-92-3
型号:
VN10LP
仓库库存编号:
VN10LP-ND
别名:FVN10LP
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PNP 80V 8A IPAK
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 90MHz 1.75W Through Hole I-Pak
型号:
MJD45H11-1G
仓库库存编号:
MJD45H11-1GOS-ND
别名:MJD45H11-1GOS
MJD45H111G
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 200mA(Ta) 740mW(Ta) TO-92(TO-226)
型号:
DN3545N3-G
仓库库存编号:
DN3545N3-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7854TRPBF
仓库库存编号:
IRF7854TRPBFCT-ND
别名:IRF7854TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC011N03LS
仓库库存编号:
BSC011N03LSCT-ND
别名:BSC011N03LSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ018NE2LS
仓库库存编号:
BSZ018NE2LSCT-ND
别名:BSZ018NE2LSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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