以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1A 50V DIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 1A Through Hole DFM
  
  型号：DF005M-E3/45
  仓库库存编号：DF005M-E3/45GI-ND
  别名：DF005M-E3/45-ND
  DF005M-E3/45GI
  DF005ME345
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN0104N3-G
  仓库库存编号：VN0104N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.4A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD600N60Z
  仓库库存编号：FCD600N60ZCT-ND
  别名：FCD600N60ZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.4A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5908DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5908DC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5908DC-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Micro Commercial Co
  RECTIFIER BRIDGE 1A 200V DB-1
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 1A Through Hole DB-1
  
  型号：DB103-BP
  仓库库存编号：DB103-BPMS-ND
  别名：DB103-BPMS
  DB103BP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 300V 0.175A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 175mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92（TO-226）
  
  型号：DN2530N3-G
  仓库库存编号：DN2530N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Micro Commercial Co
  RECTIFIER BRIDGE 1A 50V DB-1
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 1A Through Hole DB-1
  
  型号：DB101-BP
  仓库库存编号：DB101-BPMS-ND
  别名：DB101-BPMS
  DB101BP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.6A（Ta），44A（Tc） 69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC190N12NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC190N12NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC190N12NS3 GCT
  BSC190N12NS3 GCT-ND
  BSC190N12NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.6A（Tc） 54W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD5N60TM
  仓库库存编号：FCD5N60TMCT-ND
  别名：FCD5N60TMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Micro Commercial Co
  TRANS NPN 40V 1A TO-220
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 1A 3MHz 30W Through Hole TO-220
  
  型号：TIP29-BP
  仓库库存编号：TIP29-BP-ND
  别名：TIP29BP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 7.4A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.4A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：NDS8425
  仓库库存编号：NDS8425FSCT-ND
  别名：NDS8425FSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Ta） 2.1W（Ta） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDM3622
  仓库库存编号：FDM3622CT-ND
  别名：FDM3622CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.7A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7114DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7114DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7114DN-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 2.7A 1.81W Surface Mount 8-SO
  
  型号：ZXMP6A17DN8TA
  仓库库存编号：ZXMP6A17DN8CT-ND
  别名：ZXMP6A17DN8CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），36A（Tc） 3.1W（Ta），62W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FDD86102
  仓库库存编号：FDD86102CT-ND
  别名：FDD86102CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Tc） 70W（Tc） DPAK
  
  型号：STD5N52U
  仓库库存编号：497-10017-1-ND
  别名：497-10017-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 26.6A（Tc） 3W（Ta），6.6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4477DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4477DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4477DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1.5A 50V WOG
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 1.5A Through Hole WOG
  
  型号：W005G-E4/51
  仓库库存编号：W005G-E4/51GI-ND
  别名：W005G-E4/1
  W005G-E4/1-ND
  W005G-E4/1GI
  W005G-E4/1GI-ND
  W005G-E4/1TR
  W005G-E4/1TR-ND
  W005G-E4/51GI
  W005GE451
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 2A 400V WOG
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 2A Through Hole WOG
  
  型号：2W04G-E4/51
  仓库库存编号：2W04G-E4/51GI-ND
  别名：2W04G
  2W04G-E4/51-ND
  2W04G-E4/51GI
  2W04G/1
  2W04G/1-ND
  2W04GE451
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1.5A 600V WOG
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1.5A Through Hole WOG
  
  型号：W06G-E4/51
  仓库库存编号：W06G-E4/51GI-ND
  别名：W06G-E4/51GI
  W06G/1
  W06G/1GI
  W06G/1GI-ND
  W06GE451
  W06GGI
  W06GGI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE BRIDGE 2A 50V 1PH WOG
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 2A Through Hole WOG
  
  型号：2W005G-E4/51
  仓库库存编号：2W005G-E4/51GI-ND
  别名：2W005G-E4/51-ND
  2W005GE451
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1.5A 200V WOG
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 1.5A Through Hole WOG
  
  型号：W02G-E4/51
  仓库库存编号：W02G-E4/51GI-ND
  别名：W02G-E4/1
  W02G-E4/1-ND
  W02G-E4/1GI
  W02G-E4/1GI-ND
  W02G-E4/1TR
  W02G-E4/1TR-ND
  W02G-E4/51GI
  W02GE451
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 2A 600V WOG
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 2A Through Hole WOG
  
  型号：2W06G-E4/51
  仓库库存编号：2W06G-E4/51GI-ND
  别名：2W06G
  2W06G-E4/1
  2W06G-E4/1-ND
  2W06G-E4/51-ND
  2W06G-E4/51GI
  2W06GE451
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 2.5W（Ta），40W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU13N10LTU
  仓库库存编号：FQU13N10LTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE BRIDGE 2A 200V 1PH WOG
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 2A Through Hole WOG
  
  型号：2W02G-E4/51
  仓库库存编号：2W02G-E4/51GI-ND
  别名：2W02G-E4/51-ND
  2W02G-E4/51GI
  2W02GE451
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索