产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7820DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7820DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7820DN-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9.4A 900mW Surface Mount 8-SO
型号：
FDS6898A
仓库库存编号：
FDS6898ACT-ND
别名：FDS6898ACT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 16.4A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），65W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD8453LZ
仓库库存编号：
FDD8453LZCT-ND
别名：FDD8453LZCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7470TRPBF
仓库库存编号：
IRF7470PBFCT-ND
别名：*IRF7470TRPBF
IRF7470PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16413Q5A
仓库库存编号：
296-24524-1-ND
别名：296-24524-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），50W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR468DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR468DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR468DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 30A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS468DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS468DN-T1-GE3CT-ND
别名：SIS468DN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 9A POWER56
详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta），18A（Tc） 2.5W（Ta），39W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS4435BZ
仓库库存编号：
FDMS4435BZCT-ND
别名：FDMS4435BZCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.1A, 3.4A 1.25W Surface Mount 8-SO
型号：
ZXMC3A17DN8TA
仓库库存编号：
ZXMC3A17DN8CT-ND
别名：ZXMC3A17DN8CT
ZXMC3A17DN8TA-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 450V 0.2A SOT89-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
DN3545N8-G
仓库库存编号：
DN3545N8-GCT-ND
别名：DN3545N8-GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC027N04LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC027N04LSGATMA1CT-ND
别名：BSC027N04LS GCT
BSC027N04LS GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.5A 900mW Surface Mount 8-SO
型号：
NDS9945
仓库库存编号：
NDS9945CT-ND
别名：NDS9945CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），60A（Tc） 66W（Tc） 8-VSON（3.3x3.3）
型号：
CSD18543Q3AT
仓库库存编号：
296-45302-1-ND
别名：296-45302-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO
型号：
SI4164DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4164DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4164DY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-225AA
型号：
MJE802G
仓库库存编号：
MJE802GOS-ND
别名：MJE802GOS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PNP DARL 60V 4A TO225AA
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60V 4A 40W Through Hole TO-225AA
型号：
MJE700G
仓库库存编号：
MJE700GOS-ND
别名：MJE700GOS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Micro Commercial Co
IC BRIDGE RECT 3A 1000V D3K
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 3A Through Hole D3K
型号：
UD3KB100-BP
仓库库存编号：
UD3KB100-BPMS-ND
别名：UD3KB100
UD3KB100-BPMS
UD3KB100MS
UD3KB100MS-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 39W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR418DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR418DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR418DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），42A（Tc） 3.1W（Ta），43W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD8647L
仓库库存编号：
FDD8647LCT-ND
别名：FDD8647LCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7456TRPBF
仓库库存编号：
IRF7456PBFCT-ND
别名：*IRF7456TRPBF
IRF7456PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
型号：
MMSF3P02HDR2G
仓库库存编号：
MMSF3P02HDR2GOSCT-ND
别名：MMSF3P02HDR2GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3-1
型号：
SPD04N50C3ATMA1
仓库库存编号：
SPD04N50C3ATMA1CT-ND
别名：SPD04N50C3ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Diodes Incorporated
TRANS NPN 30V 7A D-PAK
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 7A 100MHz 4.2W Surface Mount TO-252-3
型号：
ZXT849KTC
仓库库存编号：
ZXT849KCT-ND
别名：ZXT849KCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1A 800V 4DIP
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 1A Through Hole DFM
型号：
DF08M-E3/45
仓库库存编号：
DF08M-E3/45GI-ND
别名：DF08M-E3/45-ND
DF08M-E3/45GI
DF08ME345
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1A 1000V 4DIP
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 1A Through Hole DFM
型号：
DF10M-E3/45
仓库库存编号：
DF10M-E3/45GI-ND
别名：DF10M-E3/45-ND
DF10M-E3/45GI
DF10ME345
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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