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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 83W（Tc） I2PAK
  
  型号：FCU7N60TU
  仓库库存编号：FCU7N60TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 33A（Tc） 235W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI33N25TU
  仓库库存编号：FDI33N25TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 79A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 79A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF79N15
  仓库库存编号：FDPF79N15-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 300V 120A 290W TO3P
  详细描述：IGBT 300V 120A 290W Through Hole TO-3P
  
  型号：FGA120N30DTU
  仓库库存编号：FGA120N30DTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1200V 30A 186W TO3P
  详细描述：IGBT NPT and Trench 1200V 30A 186W Through Hole TO-3P
  
  型号：FGA15N120ANTDTU
  仓库库存编号：FGA15N120ANTDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 300V 180A 480W TO3P
  详细描述：IGBT 300V 180A 480W Through Hole TO-3PN
  
  型号：FGA180N30DTU
  仓库库存编号：FGA180N30DTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 300V 90A 219W TO3P
  详细描述：IGBT 300V 90A 219W Through Hole TO-3P
  
  型号：FGA90N30DTU
  仓库库存编号：FGA90N30DTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 300V 90A 219W TO3P
  详细描述：IGBT 300V 90A 219W Through Hole TO-3P
  
  型号：FGA90N30TU
  仓库库存编号：FGA90N30TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 14A 41W TO220F
  详细描述：IGBT 600V 14A 41W Through Hole TO-220F
  
  型号：FGPF7N60RUFDTU
  仓库库存编号：FGPF7N60RUFDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 15.6A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 15.6A（Tc） 3.13W（Ta），139W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI16N25CTU
  仓库库存编号：FQI16N25CTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 70A 290W TO263AB
  详细描述：IGBT 600V 70A 290W Surface Mount TO-263AB
  
  型号：HGT1S20N60A4S9A
  仓库库存编号：HGT1S20N60A4S9A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Tc） 125W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FCB11N60FTM
  仓库库存编号：FCB11N60FTMCT-ND
  别名：FCB11N60FTMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.6A（Tc） 54W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD5N60TF
  仓库库存编号：FCD5N60TFCT-ND
  别名：FCD5N60TFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 83W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD7N60TF
  仓库库存编号：FCD7N60TFCT-ND
  别名：FCD7N60TFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 5A（Tc） 96W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB5N50CFTM
  仓库库存编号：FQB5N50CFTMCT-ND
  别名：FQB5N50CFTMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 1.6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 1.6A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP1R6N50P
  仓库库存编号：IXTP1R6N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 12A I2-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 200W（Tc） TO-263
  
  型号：IXTI12N50P
  仓库库存编号：IXTI12N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 22A（Tc） 350W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXTV22N50P
  仓库库存编号：IXTV22N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220-SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 22A（Tc） 350W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXTV22N50PS
  仓库库存编号：IXTV22N50PS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 26A（Tc） 460W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXTV26N50P
  仓库库存编号：IXTV26N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220-SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 26A（Tc） 460W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXTV26N50PS
  仓库库存编号：IXTV26N50PS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 15A（Tc） 130W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXTC26N50P
  仓库库存编号：IXTC26N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 460W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXTV30N50P
  仓库库存编号：IXTV30N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220-SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 30A（Tc） 460W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXTV30N50PS
  仓库库存编号：IXTV30N50PS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 36A（Tc） 540W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXTV36N50P
  仓库库存编号：IXTV36N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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