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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 22A BGA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta） 2.8W（Ta） 36-BGA（5.5x5）
  
  型号：FDZ5047N
  仓库库存编号：FDZ5047N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1200V 24A 200W TO3P
  详细描述：IGBT NPT 1200V 24A 200W Through Hole TO-3PN
  
  型号：FGA15N120ANDTU
  仓库库存编号：FGA15N120ANDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 11.2A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11.2A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF19N60
  仓库库存编号：FQAF19N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 14A 60W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 14A 60W Through Hole TO-220AB
  
  型号：HGTP7N60B3D
  仓库库存编号：HGTP7N60B3D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 20A（Tc） 277W（Tc） TO-247
  
  型号：FQH18N50V2
  仓库库存编号：FQH18N50V2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 7.2A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 7.2A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF11N90
  仓库库存编号：FQAF11N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 80A 195W TO3P
  详细描述：IGBT 600V 80A 195W Through Hole TO-3PN
  
  型号：SGH80N60UFTU
  仓库库存编号：SGH80N60UFTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 12.6A（Tc） 300W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA13N80
  仓库库存编号：FQA13N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 24A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 24A（Tc） 108W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF40N25
  仓库库存编号：FQAF40N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 27A 104W TO247
  详细描述：IGBT 600V 27A 104W Through Hole TO-247-3
  
  型号：HGTG12N60B3
  仓库库存编号：HGTG12N60B3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 38.4A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 38.4A（Tc） 290W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA38N30
  仓库库存编号：FQA38N30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 11.4A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA11N90
  仓库库存编号：FQA11N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 700V 9.5A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 9.5A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF15N70
  仓库库存编号：FQAF15N70-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 290W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA24N50F
  仓库库存编号：FQA24N50F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1200V 43A 298W TO247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 43A 298W Through Hole TO-247
  
  型号：HGTG11N120CN
  仓库库存编号：HGTG11N120CN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 35A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 35A（Tc） 310W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA35N40
  仓库库存编号：FQA35N40-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1200V 40A 310W TO3P
  详细描述：IGBT NPT 1200V 40A 310W Through Hole TO-3P
  
  型号：FGA25N120ANDTU
  仓库库存编号：FGA25N120ANDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 80A 250W TO264
  详细描述：IGBT 600V 80A 250W Through Hole TO-264
  
  型号：SGL50N60RUFTU
  仓库库存编号：SGL50N60RUFTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 900V 60A 180W TO264
  详细描述：IGBT Trench 900V 60A 180W Through Hole TO-264
  
  型号：SGL60N90DG3TU
  仓库库存编号：SGL60N90DG3TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 900V 60A 180W TO264
  详细描述：IGBT Trench 900V 60A 180W Through Hole TO-264
  
  型号：SGL60N90DG3YDTU
  仓库库存编号：SGL60N90DG3YDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 80A 195W TO3P
  详细描述：IGBT 600V 80A 195W Through Hole TO-3PN
  
  型号：SGH80N60UFDTU
  仓库库存编号：SGH80N60UFDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 28.4A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA28N50F
  仓库库存编号：FQA28N50F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 28.4A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA28N50
  仓库库存编号：FQA28N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 100A 240W TO3P
  详细描述：IGBT 600V 100A 240W Through Hole TO-3P
  
  型号：FGA50N60LS
  仓库库存编号：FGA50N60LS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1200V 40A 310W TO3P
  详细描述：IGBT NPT 1200V 40A 310W Through Hole TO-3P
  
  型号：FGA25N120ANTU
  仓库库存编号：FGA25N120ANTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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