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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 230mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：2N7008-G
  仓库库存编号：2N7008-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 450V 0.1A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Tj） 1.3W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：DN3145N8-G
  仓库库存编号：DN3145N8-GCT-ND
  别名：DN3145N8-GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 230mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：DN3535N8-G
  仓库库存编号：DN3535N8-GCT-ND
  别名：DN3535N8-GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR120TRPBF
  仓库库存编号：IRLR120TRPBFCT-ND
  别名：*IRLR120TRPBF
  IRLR120PBFCT
  IRLR120PBFCT-ND
  IRLR120TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR224TRPBF
  仓库库存编号：IRFR224PBFCT-ND
  别名：*IRFR224TRPBF
  IRFR224PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 57W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ520N15NS3 G
  仓库库存编号：BSZ520N15NS3 GCT-ND
  别名：BSZ520N15NS3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35.8A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4186DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4186DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4186DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 19.2A（Tc） 2.9W（Ta），5.9W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4483ADY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4483ADY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4483ADY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD2N90TM
  仓库库存编号：FQD2N90TMCT-ND
  别名：FQD2N90TMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4427BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4427BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4427BDY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12
  详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V 2.9A, 2.3A 2.1W Surface Mount V-DFN5045-12
  
  型号：DMHC10H170SFJ-13
  仓库库存编号：DMHC10H170SFJ-13DICT-ND
  别名：DMHC10H170SFJ-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 15A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），20A（Tc） 2.3W（Ta），41W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC8651
  仓库库存编号：FDMC8651CT-ND
  别名：FDMC8651CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS NPN 300V 0.1A TO-126
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 100mA 150MHz 7W Through Hole TO-126-3
  
  型号：KSC3503DS
  仓库库存编号：KSC3503DS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD17306Q5A
  仓库库存编号：296-25856-1-ND
  别名：296-25856-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3440DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3440DV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3440DV-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF6216TRPBF
  仓库库存编号：IRF6216TRPBFCT-ND
  别名：IRF6216TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 28A 29W, 100W Surface Mount 6-PowerPair?
  
  型号：SIZ918DT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIZ918DT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIZ918DT-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11.5A 57W Surface Mount PG-TDSON-8
  
  型号：BSC072N03LD G
  仓库库存编号：BSC072N03LD GCT-ND
  别名：BSC072N03LD GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN DARL 60V 4A TO225AA
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 4A 40W Through Hole TO-225AA
  
  型号：MJE800G
  仓库库存编号：MJE800GOS-ND
  别名：MJE800GOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），54W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7635DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7635DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7635DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN/PNP 100V 2A SM8
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 100V 2A 175MHz, 140MHz 2.75W Surface Mount SM8
  
  型号：ZDT6753TA
  仓库库存编号：ZDT6753CT-ND
  别名：ZDT6753CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 14.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6673BZ
  仓库库存编号：FDS6673BZCT-ND
  别名：FDS6673BZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 63A（Tc） 78W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC109N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC109N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC109N10NS3 GCT
  BSC109N10NS3 GCT-ND
  BSC109N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP 80V 1.5A TO225AA
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 1.5A 1.25W Through Hole TO-225AA
  
  型号：BD140G
  仓库库存编号：BD140GOS-ND
  别名：BD140GOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.5A（Tc） 2.5W（Ta），4.45W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4884BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4884BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4884BDY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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