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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 3.13W（Ta），130W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB6N60TM
  仓库库存编号：FQB6N60TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 8.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 8.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF14N30
  仓库库存编号：FQPF14N30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 11A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 11A（Tc） 98W（Tc） TO-220-3
  
  型号：SFP9640L
  仓库库存编号：SFP9640L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 8A 35W TO220F
  详细描述：IGBT 600V 8A 35W Through Hole TO-220F
  
  型号：SGS5N60RUFDTU
  仓库库存编号：SGS5N60RUFDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 16A（Tc） 3.13W（Ta），142W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB16N25TM
  仓库库存编号：FQB16N25TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 7.1A TO-3P
  详细描述：通孔 P 沟道 250V 7.1A（Tc） 70W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF9P25
  仓库库存编号：FQAF9P25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 6.5A BGA
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6.5A 2.1W Surface Mount 18-BGA (2.5x4)
  
  型号：FDZ2554PZ
  仓库库存编号：FDZ2554PZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 130W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP6N60
  仓库库存编号：FQP6N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 4.2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 4.2A（Tc） 140W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP4N90
  仓库库存编号：FQP4N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 6.5A BGA
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6.5A 2.1W Surface Mount 18-BGA (2.5x4)
  
  型号：FDZ2554P
  仓库库存编号：FDZ2554P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8A（Ta） 1.3W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：FDW256P
  仓库库存编号：FDW256P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1200V 13A 104W TO220AB
  详细描述：IGBT NPT 1200V 13A 104W Through Hole TO-220AB
  
  型号：HGTP2N120CN
  仓库库存编号：HGTP2N120CN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 16A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 16A（Tc） 85W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF19N20L
  仓库库存编号：FQAF19N20L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 8.6A TO-3PF
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 8.6A（Tc） 70W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF12P20
  仓库库存编号：FQAF12P20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 14.4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 14.4A（Tc） 3.13W（Ta），147W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB14N30TM
  仓库库存编号：FQB14N30TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 12.6A TO-3P
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 12.6A（Tc） 150W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA12P20
  仓库库存编号：FQA12P20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 15A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 15A（Tc） 85W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF19N20
  仓库库存编号：FQAF19N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 4.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 4.8A（Tc） 140W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP5N80
  仓库库存编号：FQP5N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 44W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF6N60
  仓库库存编号：FQPF6N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 8A 60W TO220
  详细描述：IGBT 600V 8A 60W Through Hole TO-220
  
  型号：SGP5N60RUFDTU
  仓库库存编号：SGP5N60RUFDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 2.5A（Tc） 47W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF4N90
  仓库库存编号：FQPF4N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9.5A（Tc） 3.13W（Ta），156W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI10N60CTU
  仓库库存编号：FQI10N60CTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9.5A（Tc） 156W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP10N60C
  仓库库存编号：FQP10N60C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF13N50C
  仓库库存编号：FQPF13N50C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 25A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 25A（Tc） 190W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA19N20L
  仓库库存编号：FQA19N20L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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