以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.5A 600mW Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：FDW2503NZ
  仓库库存编号：FDW2503NZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 13.5A BGA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13.5A（Ta） 2.2W（Ta） 30-BGA（4x3.5）
  
  型号：FDZ7064AS
  仓库库存编号：FDZ7064AS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3A（Tc） 107W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP3N80
  仓库库存编号：FQP3N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 5.5A（Tc） 3.13W（Ta），130W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB6N50TM
  仓库库存编号：FQB6N50TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5.5A（Tc） 98W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP6N50
  仓库库存编号：FQP6N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.8A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：NDS8934
  仓库库存编号：NDS8934-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 6A BGA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6A（Ta） 1.7W（Ta） 9-BGA（1.5x1.6）
  
  型号：FDZ298N
  仓库库存编号：FDZ298N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 10A（Tc） 3.13W（Ta），134W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRFI740BTU
  仓库库存编号：IRFI740BTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 2.8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2.8A（Tc） 40W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF5N60
  仓库库存编号：FQPF5N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 6A 30W TO220
  详细描述：IGBT 600V 6A 30W Through Hole TO-220
  
  型号：SGP6N60UFDTU
  仓库库存编号：SGP6N60UFDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 2.1A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 2.1A（Tc） 43W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF3N90
  仓库库存编号：FQPF3N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IC BRIDGE RECT 6A 1000V KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 6A Through Hole KBU
  
  型号：KBU6M
  仓库库存编号：KBU6M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IC BRIDGE RECT 6A 100V KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 6A Through Hole KBU
  
  型号：KBU6B
  仓库库存编号：KBU6B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IC BRIDGE RECT 6A 600V KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 6A Through Hole KBU
  
  型号：KBU6J
  仓库库存编号：KBU6J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IC BRIDGE RECT 6A 50V KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 6A Through Hole KBU
  
  型号：KBU6A
  仓库库存编号：KBU6A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IC BRIDGE RECT 6A 200V KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 6A Through Hole KBU
  
  型号：KBU6D
  仓库库存编号：KBU6DFS-ND
  别名：KBU6DFS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IC BRIDGE RECT 6A 400V KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 6A Through Hole KBU
  
  型号：KBU6G
  仓库库存编号：KBU6GFS-ND
  别名：KBU6GFS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IC BRIDGE RECT 6A 800V KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 6A Through Hole KBU
  
  型号：KBU6K
  仓库库存编号：KBU6KFS-ND
  别名：KBU6KFS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 3.6A（Tc） 130W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP3N90
  仓库库存编号：FQP3N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 7.3A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF12P20
  仓库库存编号：FQPF12P20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 7.3A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF12P20XDTU
  仓库库存编号：FQPF12P20XDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 9A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 9A（Ta） 1.3W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：FDW258P
  仓库库存编号：FDW258P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：HUF75531SK8T
  仓库库存编号：HUF75531SK8T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 9A（Tc） 135W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FQI9N50CTU
  仓库库存编号：FQI9N50CTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7A（Tc） 160W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP7N65C
  仓库库存编号：FQP7N65C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索