产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），50A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC067N06LS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC067N06LS3GATMA1CT-ND
别名：BSC067N06LS3 GINCT
BSC067N06LS3 GINCT-ND
BSC067N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92
详细描述：通孔 N 沟道 400mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
BS270
仓库库存编号：
BS270FS-ND
别名：BS270-ND
BS270FS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS3692
仓库库存编号：
FDS3692CT-ND
别名：FDS3692CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1.47W（Ta） 8-SO
型号：
SI4386DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4386DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4386DY-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4464DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4464DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4464DY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A MICROFET2X2
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
型号：
FDMA7632
仓库库存编号：
FDMA7632CT-ND
别名：FDMA7632CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 1.39A, 1.28A 870mW Surface Mount 8-SOP
型号：
ZXMHC6A07N8TC
仓库库存编号：
ZXMHC6A07N8DICT-ND
别名：ZXMHC6A07N8DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
详细描述：表面贴装 P 沟道 11.7A（Tc） 2.77W（Ta），6.25W（Tc） 4-Microfoot
型号：
SI8429DB-T1-E1
仓库库存编号：
SI8429DB-T1-E1CT-ND
别名：SI8429DB-T1-E1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 3.2W（Ta），19.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7309DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7309DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7309DN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 2.17A, 1.64A 870mW Surface Mount 8-SOP
型号：
ZXMHC3A01N8TC
仓库库存编号：
ZXMHC3A01N8DICT-ND
别名：ZXMHC3A01N8DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 3.2W（Ta），19.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7309DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7309DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7309DN-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5W（Ta），40W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA10DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIRA10DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIRA10DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta），45A（Tc） 78W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC196N10NSGATMA1
仓库库存编号：
BSC196N10NSGATMA1CT-ND
别名：BSC196N10NS GCT
BSC196N10NS GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 55V 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7342TRPBF
仓库库存编号：
IRF7342PBFCT-ND
别名：*IRF7342TRPBF
IRF7342PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17527Q5A
仓库库存编号：
296-29021-1-ND
别名：296-29021-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SYNCFET POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），42A（Tc） 2.5W（Ta），46W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS7672AS
仓库库存编号：
FDMS7672ASCT-ND
别名：FDMS7672ASCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 310mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN10KN3-G
仓库库存编号：
VN10KN3-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 30mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
型号：
LND150N3-G
仓库库存编号：
LND150N3-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），20A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ067N06LS3 G
仓库库存编号：
BSZ067N06LS3GINCT-ND
别名：BSZ067N06LS3GINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），100A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17510Q5A
仓库库存编号：
296-27792-1-ND
别名：296-27792-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7A 2.9W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4286DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4286DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4286DY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ
详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Tc） 42W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
型号：
FDMC2523P
仓库库存编号：
FDMC2523PCT-ND
别名：FDMC2523PCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS NPN 80V 0.5A TO-92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 500mA 100MHz 625mW Through Hole TO-92-3
型号：
MPSA06
仓库库存编号：
MPSA06-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP149H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP149H6327XTSA1CT-ND
别名：BSP149H6327XTSA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 3.2W（Ta），37W（Tc） 8-VSONP（3x3.15）
型号：
CSD17578Q3AT
仓库库存编号：
296-38462-1-ND
别名：296-38462-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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