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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta） 3W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS7088N3
  仓库库存编号：FDS7088N3CT-ND
  别名：FDS7088N3_NLCT
  FDS7088N3_NLCT-ND
  FDS7088N3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 23A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23A（Ta） 3W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS7088N7
  仓库库存编号：FDS7088N7CT-ND
  别名：FDS7088N7_NLCT
  FDS7088N7_NLCT-ND
  FDS7088N7CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 3W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS7096N3
  仓库库存编号：FDS7096N3CT-ND
  别名：FDS7096N3_NLCT
  FDS7096N3_NLCT-ND
  FDS7096N3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta） 3W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS7288N3
  仓库库存编号：FDS7288N3CT-ND
  别名：FDS7288N3_NLCT
  FDS7288N3_NLCT-ND
  FDS7288N3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 45A 167W TO263AB
  详细描述：IGBT 600V 45A 167W Surface Mount TO-263AB
  
  型号：FGB30N6S2T
  仓库库存编号：FGB30N6S2TCT-ND
  别名：FGB30N6S2T_NLCT
  FGB30N6S2T_NLCT-ND
  FGB30N6S2TCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 75A 290W TO263AB
  详细描述：IGBT 600V 75A 290W Surface Mount TO-263AB
  
  型号：FGB40N6S2T
  仓库库存编号：FGB40N6S2TCT-ND
  别名：FGB40N6S2T_NLCT
  FGB40N6S2T_NLCT-ND
  FGB40N6S2TCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 45A 167W TO263AB
  详细描述：IGBT 600V 45A 167W Surface Mount TO-263AB
  
  型号：FGB30N6S2DT
  仓库库存编号：FGB30N6S2DT-ND
  别名：FGB30N6S2DT_NL
  FGB30N6S2DT_NL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 45A 167W TO263AB
  详细描述：IGBT 600V 45A 167W Surface Mount TO-263AB
  
  型号：FGB30N6S2
  仓库库存编号：FGB30N6S2-ND
  别名：FGB30N6S2_NL
  FGB30N6S2_NL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 85V 50A TO-247AD
  详细描述：通孔 P 沟道 85V 50A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH50P085
  仓库库存编号：IXTH50P085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 100V 4A RS-4L
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 4A Through Hole RS-4L
  
  型号：RS402LDI-F
  仓库库存编号：RS402LDI-FDI-ND
  别名：RS402LDI-FDI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 600V 4A RS-4L
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 4A Through Hole RS-4L
  
  型号：RS405LDI-F
  仓库库存编号：RS405LDI-FDI-ND
  别名：RS405LDI-FDI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 20A 100W TO220AB
  详细描述：IGBT PT 600V 20A 100W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IXSP10N60B2D1
  仓库库存编号：IXSP10N60B2D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 20A 100W TO263
  详细描述：IGBT PT 600V 20A 100W Surface Mount TO-263 AA (IXSA)
  
  型号：IXSA10N60B2D1
  仓库库存编号：IXSA10N60B2D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 20A 100W TO247
  详细描述：IGBT PT 600V 20A 100W Through Hole TO-247AD (IXSH)
  
  型号：IXSH10N60B2D1
  仓库库存编号：IXSH10N60B2D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 35A 190W TO220
  详细描述：IGBT PT 600V 35A 190W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IXSP20N60B2D1
  仓库库存编号：IXSP20N60B2D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 35A 190W TO263
  详细描述：IGBT PT 600V 35A 190W Surface Mount TO-263 AA (IXSA)
  
  型号：IXSA20N60B2D1
  仓库库存编号：IXSA20N60B2D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 35A 190W TO247
  详细描述：IGBT PT 600V 35A 190W Through Hole TO-247AD (IXSH)
  
  型号：IXSH20N60B2D1
  仓库库存编号：IXSH20N60B2D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 35A 190W TO3P
  详细描述：IGBT PT 600V 35A 190W Through Hole TO-3P
  
  型号：IXSQ20N60B2D1
  仓库库存编号：IXSQ20N60B2D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 48A 250W TO247
  详细描述：IGBT PT 600V 48A 250W Through Hole TO-247AD (IXSH)
  
  型号：IXSH30N60B2D1
  仓库库存编号：IXSH30N60B2D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 48A 250W TO268
  详细描述：IGBT PT 600V 48A 250W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXST30N60B2D1
  仓库库存编号：IXST30N60B2D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 34.3A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 34.3A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH20100S,115
  仓库库存编号：1727-3049-1-ND
  别名：1727-3049-1
  568-2175-1
  568-2175-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 40V 0.2A TO92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 200mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：2N3904RLRAG
  仓库库存编号：2N3904RLRAGOSCT-ND
  别名：2N3904RLRAGOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP 40V 0.2A TO92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 200mA 250MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：2N3906RLRAG
  仓库库存编号：2N3906RLRAGOSCT-ND
  别名：2N3906RLRAGOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 40V 0.6A TO92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 600mA 250MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：2N4401RLRAG
  仓库库存编号：2N4401RLRAGOSCT-ND
  别名：2N4401RLRAGOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP 40V 0.6A TO92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 600mA 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：2N4403RLRAG
  仓库库存编号：2N4403RLRAGOSCT-ND
  别名：2N4403RLRAGOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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