产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.5A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7313TRPBF
仓库库存编号：
IRF7313PBFCT-ND
别名：*IRF7313TRPBF
IRF7313PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 8.4A（Tc） 1.7W（Ta），20.8W（Tc） TO-252
型号：
SUD08P06-155L-GE3
仓库库存编号：
SUD08P06-155L-GE3CT-ND
别名：SUD08P06-155L-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9014TRPBF
仓库库存编号：
IRFR9014PBFCT-ND
别名：*IRFR9014TRPBF
IRFR9014PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS6670A
仓库库存编号：
FDS6670ACT-ND
别名：FDS6670ACT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 56A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），56A（Tc） 2.7W（Ta） 8-VSON（3.3x3.3）
型号：
CSD17304Q3
仓库库存编号：
296-27509-1-ND
别名：296-27509-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 420MA SC70
详细描述：表面贴装 P 沟道 420mA（Ta） 1W（Ta）
型号：
SI1411DH-T1-GE3
仓库库存编号：
SI1411DH-T1-GE3CT-ND
别名：SI1411DH-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 15.6A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
型号：
FQD19N10LTM
仓库库存编号：
FQD19N10LTMCT-ND
别名：FQD19N10LTMCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC110N06NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC110N06NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC110N06NS3 GCT
BSC110N06NS3 GCT-ND
BSC110N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.1A（Tc） 2W（Ta），3.3W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3458BDV-T1-GE3
仓库库存编号：
SI3458BDV-T1-GE3CT-ND
别名：SI3458BDV-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），20A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ100N06LS3 G
仓库库存编号：
BSZ100N06LS3GINCT-ND
别名：BSZ100N06LS3GINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
型号：
FQD17P06TM
仓库库存编号：
FQD17P06TMCT-ND
别名：FQD17P06TMCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.9A 900mW Surface Mount 8-SO
型号：
FDS9953A
仓库库存编号：
FDS9953ACT-ND
别名：FDS9953ACT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 280mA（Tj） 360mW（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
TN2106K1-G
仓库库存编号：
TN2106K1-GCT-ND
别名：TN2106K1-GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 40V 8.5A POWER
详细描述：表面贴装 P 沟道 8.5A（Ta） 1.3W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMP4015SPSQ-13
仓库库存编号：
DMP4015SPSQ-13DICT-ND
别名：DMP4015SPSQ-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS NPN 10V 5A SOT-223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 10V 5A 150MHz 2.5W Surface Mount SOT-223
型号：
FZT1047ATA
仓库库存编号：
FZT1047ACT-ND
别名：FZT1047A
FZT1047ACT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 1.75W（Ta），74W（Tc） DPAK
型号：
NTD20N03L27T4G
仓库库存编号：
NTD20N03L27T4GOSCT-ND
别名：NTD20N03L27T4GOS
NTD20N03L27T4GOS-ND
NTD20N03L27T4GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7416TRPBF
仓库库存编号：
IRF7416TRPBFCT-ND
别名：IRF7416TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.8A（Ta），16.5A（Tc） 2.5W（Ta），31W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS8622
仓库库存编号：
FDMS8622CT-ND
别名：FDMS8622CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR310TRPBF
仓库库存编号：
IRFR310PBFCT-ND
别名：*IRFR310TRPBF
IRFR310PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 6-MLP
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
型号：
FDMA8051L
仓库库存编号：
FDMA8051LCT-ND
别名：FDMA8051LCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
型号：
DMP3015LSS-13
仓库库存编号：
DMP3015LSSDICT-ND
别名：DMP3015LSSDICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N/2P-CH 40V 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 40V 4.5A, 3.7A 1.5W Surface Mount 8-SO
型号：
DMHC4035LSD-13
仓库库存编号：
DMHC4035LSD-13DICT-ND
别名：DMHC4035LSD-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
型号：
FQD2N60CTM
仓库库存编号：
FQD2N60CTMCT-ND
别名：FQD2N60CTMCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF8734TRPBF
仓库库存编号：
IRF8734TRPBFCT-ND
别名：IRF8734TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9110TRPBF
仓库库存编号：
IRFR9110PBFCT-ND
别名：*IRFR9110TRPBF
IRFR9110PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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