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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 4.9A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI744GPBF
  仓库库存编号：IRFI744GPBF-ND
  别名：*IRFI744GPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 3.4A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI734GPBF
  仓库库存编号：IRFI734GPBF-ND
  别名：*IRFI734GPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 74W（Tc） TO-220-5
  
  型号：IRC630PBF
  仓库库存编号：IRC630PBF-ND
  别名：*IRC630PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 17A（Tc） 340W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB17N60KPBF
  仓库库存编号：IRFB17N60KPBF-ND
  别名：*IRFB17N60KPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 24A SUPER-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 340W（Tc） SUPER-220?（TO-273AA）
  
  型号：IRFBA22N50APBF
  仓库库存编号：IRFBA22N50APBF-ND
  别名：*IRFBA22N50APBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRLU120PBF
  仓库库存编号：IRLU120PBF-ND
  别名：*IRLU120PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECTIFIER BRIDGE 400V 35A MB
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 35A QC Terminal MB
  
  型号：MB354-F
  仓库库存编号：MB354-FDI-ND
  别名：MB354-FDI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECTIFIER BRIDGE 200V 35A MB-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 35A Through Hole MB-W
  
  型号：MB352W-F
  仓库库存编号：MB352W-FDI-ND
  别名：MB352W-FDI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECTIFIER BRIDGE 200V 35A MB
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 35A QC Terminal MB
  
  型号：MB352-F
  仓库库存编号：MB352-FDI-ND
  别名：MB352-FDI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECTIFIER BRIDGE 50V 35A MB
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 35A QC Terminal MB
  
  型号：MB3505-F
  仓库库存编号：MB3505-FDI-ND
  别名：MB3505-FDI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECTIFIER BRIDGE 600V 15A MB-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 15A Through Hole MB-W
  
  型号：MB156W-F
  仓库库存编号：MB156W-FDI-ND
  别名：MB156W-FDI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN/PNP 40V 2A/1.5A 8MLP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 40V 2A, 1.5A 150MHz 1W Surface Mount 8-MLP (3x2)
  
  型号：ZXTD4591AM832TA
  仓库库存编号：ZXTD4591AM832TACT-ND
  别名：ZXTD4591AM832TACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN/PNP 80V/70V 8MLP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 80V, 70V 3.5A, 2.5A 160MHz, 180MHz 1W Surface Mount 8-MLP (3x2)
  
  型号：ZXTDE4M832TA
  仓库库存编号：ZXTDE4M832TACT-ND
  别名：ZXTDE4M832TACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 18V 1A SOT363
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN + Zener Diode (Isolated) 18V 1A 100MHz 200mW Surface Mount SOT-363
  
  型号：DVR2V5W-7
  仓库库存编号：DVR2V5WDICT-ND
  别名：DVR2V5WDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 18V 1A SOT363
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN + Zener Diode (Isolated) 18V 1A 100MHz 200mW Surface Mount SOT-363
  
  型号：DVR3V3W-7
  仓库库存编号：DVR3V3WDICT-ND
  别名：DVR3V3WDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 208W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH20N60
  仓库库存编号：FCH20N60-ND
  别名：FCH20N60_NL
  FCH20N60_NL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 40A 160W TO3P
  详细描述：IGBT 600V 40A 160W Through Hole TO-3PN
  
  型号：FGA40N60UFDTU
  仓库库存编号：FGA40N60UFDTU-ND
  别名：FGA40N60UFDTU_NL
  FGA40N60UFDTU_NL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 28A 125W TO263AB
  详细描述：IGBT 600V 28A 125W Surface Mount TO-263AB
  
  型号：FGB20N6S2D
  仓库库存编号：FGB20N6S2D-ND
  别名：FGB20N6S2D_NL
  FGB20N6S2D_NL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 28A 125W TO263AB
  详细描述：IGBT 600V 28A 125W Surface Mount TO-263AB
  
  型号：FGB20N6S2
  仓库库存编号：FGB20N6S2-ND
  别名：FGB20N6S2_NL
  FGB20N6S2_NL-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 45A 167W TO263AB
  详细描述：IGBT 600V 45A 167W Surface Mount TO-263AB
  
  型号：FGB30N6S2D
  仓库库存编号：FGB30N6S2D-ND
  别名：FGB30N6S2D_NL
  FGB30N6S2D_NL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 28A 125W TO247
  详细描述：IGBT 600V 28A 125W Through Hole TO-247-3
  
  型号：FGH20N6S2D
  仓库库存编号：FGH20N6S2D-ND
  别名：FGH20N6S2D_NL
  FGH20N6S2D_NL-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 28A 125W TO247
  详细描述：IGBT 600V 28A 125W Through Hole TO-247-3
  
  型号：FGH20N6S2
  仓库库存编号：FGH20N6S2-ND
  别名：FGH20N6S2_NL
  FGH20N6S2_NL-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 45A 167W TO247
  详细描述：IGBT 600V 45A 167W Through Hole TO-247
  
  型号：FGH30N6S2D
  仓库库存编号：FGH30N6S2D-ND
  别名：FGH30N6S2D_NL
  FGH30N6S2D_NL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 45A 167W TO247
  详细描述：IGBT 600V 45A 167W Through Hole TO-247
  
  型号：FGH30N6S2
  仓库库存编号：FGH30N6S2-ND
  别名：FGH30N6S2_NL
  FGH30N6S2_NL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 75A 290W TO247
  详细描述：IGBT 600V 75A 290W Through Hole TO-247
  
  型号：FGH40N6S2D
  仓库库存编号：FGH40N6S2D-ND
  别名：FGH40N6S2D_NL
  FGH40N6S2D_NL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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