产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 39A（Ta），58A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC050NE2LS
仓库库存编号：
BSC050NE2LSCT-ND
别名：BSC050NE2LSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS9431A
仓库库存编号：
FDS9431ACT-ND
别名：FDS9431ACT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Tc） 14.9W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
FDD1600N10ALZ
仓库库存编号：
FDD1600N10ALZCT-ND
别名：FDD1600N10ALZCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），79A（Tc） 850mW（Ta），43W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NTTFS4932NTAG
仓库库存编号：
NTTFS4932NTAGOSCT-ND
别名：NTTFS4932NTAGOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），65A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17507Q5A
仓库库存编号：
296-27791-1-ND
别名：296-27791-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7303TRPBF
仓库库存编号：
IRF7303PBFCT-ND
别名：*IRF7303TRPBF
IRF7303PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
型号：
SI4174DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4174DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4174DY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
型号：
ZXMN6A08GTA
仓库库存编号：
ZXMN6A08GCT-ND
别名：ZXMN6A08GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP295H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP295H6327XTSA1CT-ND
别名：BSP295H6327XTSA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 12A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 2.6W（Ta） 8-SON（3.3x3.3）
型号：
CSD17551Q3A
仓库库存编号：
296-35025-1-ND
别名：296-35025-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 900mW Surface Mount 8-SO
型号：
FDS6930B
仓库库存编号：
FDS6930BCT-ND
别名：FDS6930BCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），80A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC050N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC050N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC050N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC050N03LSGINCT
BSC050N03LSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），50A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC100N06LS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC100N06LS3GATMA1CT-ND
别名：BSC100N06LS3 GCT
BSC100N06LS3 GCT-ND
BSC100N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.4A, 4.5A 900mW Surface Mount 8-SO
型号：
FDS8958B
仓库库存编号：
FDS8958BCT-ND
别名：FDS8958BCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.5A 1.6W Surface Mount 8-SO
型号：
FDS8978
仓库库存编号：
FDS8978CT-ND
别名：FDS8978CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT-6
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2.5A 700mW Surface Mount SuperSOT?-6
型号：
FDC6318P
仓库库存编号：
FDC6318PCT-ND
别名：FDC6318PCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 52A U8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Ta） 820mW（Ta），25.5W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NTTFS4C08NTAG
仓库库存编号：
NTTFS4C08NTAGOSCT-ND
别名：NTTFS4C08NTAGOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 24A（Tc） 3.5W（Ta），27.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7619DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7619DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7619DN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-23-6
型号：
ZXMN3A03E6TA
仓库库存编号：
ZXMN3A03E6CT-ND
别名：ZXMN3A03E6CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 2.3W（Ta），5.7W（Tc） 1206-8 ChipFET?
型号：
SI5406CDC-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5406CDC-T1-GE3CT-ND
别名：SI5406CDC-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 3.9W（Ta），15.6W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR836DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR836DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR836DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-SO
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.6A（Ta） 1.2W（Ta） 8-SO
型号：
DMP6023LSS-13
仓库库存编号：
DMP6023LSS-13DICT-ND
别名：DMP6023LSS-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Diodes Incorporated
TRANS NPN 60V 5A SOT23-3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 5A 130MHz 1.2W Surface Mount SOT-23-3
型号：
ZXTN2018FTA
仓库库存编号：
ZXTN2018FCT-ND
别名：ZXTN2018FCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2P-CH 30V 7.1A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7.1A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号：
AO4813
仓库库存编号：
785-1058-1-ND
别名：785-1058-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 3.4W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS414DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS414DN-T1-GE3CT-ND
别名：SIS414DN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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