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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 16A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 16A（Tc） 220W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB17N50L
  仓库库存编号：IRFB17N50L-ND
  别名：*IRFB17N50L
  Q1082842
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1000V 50A 200W TO247AD
  详细描述：IGBT 1000V 50A 200W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH25N100A
  仓库库存编号：IXGH25N100A-ND
  别名：Q1112006
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 1-PHA 100V 1A D-71
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 1A Surface Mount DFS
  
  型号：DF01STRR16
  仓库库存编号：DF01STRR16DKR-ND
  别名：DF01STRR16DKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 1-PHA 200V 1A D-71
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 1A Surface Mount DFS
  
  型号：DF02STRR16
  仓库库存编号：DF02STRR16DKR-ND
  别名：DF02STRR16DKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 5A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 250V 5A（Tc） 70W（Tc） TO-220-3
  
  型号：SFP9634
  仓库库存编号：SFP9634-ND
  别名：Q1138071
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1000V 70A 300W TO247AD
  详细描述：IGBT 1000V 70A 300W Through Hole TO-247AD (IXSH)
  
  型号：IXSH35N100A
  仓库库存编号：IXSH35N100A-ND
  别名：Q1145778
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 75A 300W TO264
  详细描述：IGBT 600V 75A 300W Through Hole TO-264 (IXGK)
  
  型号：IXGK50N60B
  仓库库存编号：IXGK50N60B-ND
  别名：Q1144124
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 22A（Tc） 278W（Tc） TO-3P
  
  型号：SSH22N50A
  仓库库存编号：SSH22N50A-ND
  别名：Q1150235
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 400V 0.2A SOT 223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 400V 200mA 50MHz 2W Surface Mount SOT-223
  
  型号：FZT558
  仓库库存编号：FZT558-ND
  别名：Q1159151
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SC70-6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 200mA 200mW Surface Mount SOT-363
  
  型号：BSS138DW-7
  仓库库存编号：BSS138DWDICT-ND
  别名：BSS138DW7
  BSS138DWDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 200mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-323
  
  型号：BSS138W-7
  仓库库存编号：BSS138WDICT-ND
  别名：BSS138W7
  BSS138WDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 50V 130MA SC70-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50V 130mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-323
  
  型号：BSS84W-7
  仓库库存编号：BSS84WDICT-ND
  别名：BSS84W7
  BSS84WDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 50V 3AMPS
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 2A Through Hole GBPC1
  
  型号：GBPC1005/1
  仓库库存编号：GBPC1005/1-ND
  别名：GBPC1005
  GBPC1005-ND
  Q1168686
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 75A 300W TO247
  详细描述：IGBT 600V 75A 300W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IXGX50N60AU1
  仓库库存编号：IXGX50N60AU1-ND
  别名：Q1168121
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT UFAST 600V 100A SOT227
  详细描述：IGBT Module Single 600V 200A 500W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：GA200SA60U
  仓库库存编号：GA200SA60U-ND
  别名：*GA200SA60U
  VS-GA200SA60U
  VS-GA200SA60U-ND
  VSGA200SA60U
  VSGA200SA60U-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT STD 600V 100A SOT227
  详细描述：IGBT Module Single 600V 200A 630W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：GA200SA60S
  仓库库存编号：GA200SA60S-ND
  别名：*GA200SA60S
  VS-GA200SA60S
  VS-GA200SA60S-ND
  VSGA200SA60S
  VSGA200SA60S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE SGL PHASE 100V 4A 4-GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 100V 4A Through Hole GBL
  
  型号：4GBL01
  仓库库存编号：4GBL01-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 31A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 31A（Tc） 460W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP31N50L
  仓库库存编号：IRFP31N50L-ND
  别名：*IRFP31N50L
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 47A SUPER247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 47A（Tc） 540W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
  
  型号：IRFPS43N50K
  仓库库存编号：IRFPS43N50K-ND
  别名：*IRFPS43N50K
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 46A SUPER247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 46A（Tc） 540W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
  
  型号：IRFPS40N50L
  仓库库存编号：IRFPS40N50L-ND
  别名：*IRFPS40N50L
  
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  MOSFET N-CH 500V 32A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 32A（Tc） 460W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP32N50K
  仓库库存编号：IRFP32N50K-ND
  别名：*IRFP32N50K
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 23A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 23A（Tc） 370W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP23N50L
  仓库库存编号：IRFP23N50L-ND
  别名：*IRFP23N50L
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 20A（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP460P
  仓库库存编号：IRFP460P-ND
  别名：*IRFP460P
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 16A（Tc） 220W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP17N50L
  仓库库存编号：IRFP17N50L-ND
  别名：*IRFP17N50L
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB13N50A
  仓库库存编号：IRFB13N50A-ND
  别名：*IRFB13N50A
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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