产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 500V 8A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF840
仓库库存编号:
IRF840IR-ND
别名:*IRF840
IRF840IR
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 600mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD210
仓库库存编号:
IRFD210-ND
别名:*IRFD210
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 200V 6.5A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9630
仓库库存编号:
IRF9630-ND
别名:*IRF9630
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 3.3A(Tc) 36W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF610
仓库库存编号:
IRF610-ND
别名:*IRF610
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF730
仓库库存编号:
IRF730IR-ND
别名:*IRF730
IRF730IR
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 400V 10A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF740
仓库库存编号:
IRF740IR-ND
别名:*IRF740
IRF740IR
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF820
仓库库存编号:
IRF820IR-ND
别名:*IRF820
IRF820IR
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF830
仓库库存编号:
IRF830IR-ND
别名:*IRF830
IRF830IR
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 400V 3.3A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF720
仓库库存编号:
IRF720-ND
别名:*IRF720
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 400V 2A(Tc) 36W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF710
仓库库存编号:
IRF710-ND
别名:*IRF710
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 200V 11A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9640
仓库库存编号:
IRF9640-ND
别名:*IRF9640
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 200V 1.8A(Tc) 20W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9610
仓库库存编号:
IRF9610-ND
别名:*IRF9610
IRF9611
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 800mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD220
仓库库存编号:
IRFD220-ND
别名:*IRFD220
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 200V 3.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9620
仓库库存编号:
IRF9620-ND
别名:*IRF9620
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 200V 400mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9210
仓库库存编号:
IRFD9210-ND
别名:*IRFD9210
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 15A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 50V 15A(Tc) 40W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ20
仓库库存编号:
IRFZ20-ND
别名:*IRFZ20
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Diodes Incorporated
TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 500mA 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3
型号:
MMBTA06-7
仓库库存编号:
MMBTA06DICT-ND
别名:MMBTA067
MMBTA06CT
MMBTA06CT-ND
MMBTA06DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Diodes Incorporated
RECTIFIER BRIDGE GPP 1000V 4A
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1000V 4A Through Hole RS-4L
型号:
RS407L
仓库库存编号:
RS407LDI-ND
别名:RS407LDI
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 16A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 400V 16A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP350
仓库库存编号:
IRFP350-ND
别名:*IRFP350
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Diodes Incorporated
TRANS NPN 40V 0.2A SMD SOT23-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 200mA 300MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3
型号:
MMBT3904-7
仓库库存编号:
MMBT3904DICT-ND
别名:IMBT3904DI
IMBT3904DICT
MMBT39047
MMBT3904CT
MMBT3904CT-ND
MMBT3904DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 50V 4A RS-4L
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 50V 4A Through Hole RS-4L
型号:
RS401L
仓库库存编号:
RS401LDI-ND
别名:RS401
RS401LDI
RS401LR
RS401LR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 100V 4A RS-4L
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 100V 4A Through Hole RS-4L
型号:
RS402L
仓库库存编号:
RS402LDI-ND
别名:RS402
RS402LDI
RS402LR
RS402LR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 200V 4A RS-4L
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 200V 4A Through Hole RS-4L
型号:
RS403L
仓库库存编号:
RS403LDI-ND
别名:RS403
RS403LDI
RS403LR
RS403LR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 400V 4A RS-4L
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 400V 4A Through Hole RS-4L
型号:
RS404L
仓库库存编号:
RS404LDI-ND
别名:RS404
RS404LDI
RS404LR
RS404LR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 600V 4A RS-4L
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 4A Through Hole RS-4L
型号:
RS405L
仓库库存编号:
RS405LDI-ND
别名:RS405LDI
RS405LR
RS405LR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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