产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Diodes Incorporated
TRANS NPN 25V 3A SOT-223
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 25V 3A 240MHz 2W Surface Mount SOT-223-4
型号:
FZT649TA
仓库库存编号:
FZT649CT-ND
别名:FZT649
FZT649CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 450V 500MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 500mA(Tc) 900mW(Ta) TO-92-3
型号:
SSN1N45BTA
仓库库存编号:
SSN1N45BTACT-ND
别名:SSN1N45BTACT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),49A(Tc) 2.5W(Ta),35W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC093N04LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC093N04LSGATMA1CT-ND
别名:BSC093N04LS GCT
BSC093N04LS GCT-ND
BSC093N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.7A, 2A 1.25W Surface Mount Micro8?
型号:
IRF7509TRPBF
仓库库存编号:
IRF7509TRPBFCT-ND
别名:IRF7509TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL110TRPBF
仓库库存编号:
IRFL110PBFCT-ND
别名:*IRFL110TRPBF
IRFL110PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL014TRPBF
仓库库存编号:
IRFL014PBFCT-ND
别名:*IRFL014TRPBF
IRFL014PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL4310TRPBF
仓库库存编号:
IRFL4310TRPBFCT-ND
别名:IRFL4310TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GP 600V 0.5A MINIDIP
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 500mA Surface Mount 4-MiniDIP
型号:
RH06-T
仓库库存编号:
RH06DICT-ND
别名:RH06
RH06DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 45V 0.09A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 90mA(Ta) 330mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BS250FTA
仓库库存编号:
BS250FCT-ND
别名:BS250F
BS250FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),2.78W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1499DH-T1-E3
仓库库存编号:
SI1499DH-T1-E3CT-ND
别名:SI1499DH-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 3.57W(Ta),26.5W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SISA14DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISA14DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISA14DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 7.6A
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.6A(Ta) 730mW(Ta) U-DFN2020-6(F 类)
型号:
DMP2023UFDF-7
仓库库存编号:
DMP2023UFDF-7DICT-ND
别名:DMP2023UFDF-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Tc) 2.1W(Tc) SOT-223-4
型号:
FQT13N06LTF
仓库库存编号:
FQT13N06LTFCT-ND
别名:FQT13N06LTFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 2.5W(Ta),40W(Tc) D-Pak
型号:
FQD13N10LTM
仓库库存编号:
FQD13N10LTMCT-ND
别名:FQD13N10LTMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 25A SC-70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 3.5W(Ta),19.2W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA466EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA466EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA466EDJ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
详细描述:表面贴装 P 沟道 17.5A(Ta),40A(Tc) 2.3W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMP2006UFG-7
仓库库存编号:
DMP2006UFG-7DICT-ND
别名:DMP2006UFG-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
AO4818B
仓库库存编号:
785-1059-1-ND
别名:785-1059-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 2.08W(Ta),2.97W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3493BDV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3493BDV-T1-E3CT-ND
别名:SI3493BDV-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta) 1.3W(Ta) 8-SO
型号:
SI4800BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4800BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4800BDY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 420mW(Ta) SC-70-6
型号:
FDG327N
仓库库存编号:
FDG327NCT-ND
别名:FDG327NCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Diodes Incorporated
TRANS PNP DARL 120V 1A SOT-89
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120V 1A 160MHz 1W Surface Mount SOT-89-3
型号:
FCX705TA
仓库库存编号:
FCX705CT-ND
别名:FCX705CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 10.4A DFN2523-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 10.4A(Ta) 1W(Ta) U-DFN2523-6
型号:
DMP3017SFK-7
仓库库存编号:
DMP3017SFK-7DICT-ND
别名:DMP3017SFK-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6690A
仓库库存编号:
FDS6690ACT-ND
别名:FDS6690ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 4.3A 2.78W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4532CDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4532CDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4532CDY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 850mA(Tc) 2.2W(Tc) SOT-223-4
型号:
FQT4N20LTF
仓库库存编号:
FQT4N20LTFCT-ND
别名:FQT4N20LTFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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