产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(24622)
二极管 - 桥式整流器
(2994)
二极管 - 射频
(34)
二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）
(173)
二极管 - 齐纳 - 阵列
(32)
二极管 - 齐纳 - 单
(707)
晶闸管 - SCR - 模块
(6)
晶闸管 - TRIAC
(1)
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
(323)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
(93)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
(2992)
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
(2014)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(13335)
晶体管 - IGBT - 阵列
(15)
晶体管 - IGBT - 模块
(120)
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
(1543)
晶体管 - JFET
(240)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(977)
Analog Devices Inc.(8)
Bourns Inc.(6)
Central Semiconductor Corp(40)
Comchip Technology(375)
Cree/Wolfspeed(23)
Diodes Incorporated(2470)
Fairchild/Micross Components(3)
Fairchild/ON Semiconductor(3813)
GeneSiC Semiconductor(248)
Global Power Technologies Group(163)
Infineon Technologies(2769)
IXYS(2092)
Micro Commercial Co(369)
Microchip Technology(181)
Microsemi Corporation(679)
Nexperia USA Inc.(325)
NXP USA Inc.(156)
ON Semiconductor(2161)
Powerex Inc.(2)
Renesas Electronics America(1)
Rohm Semiconductor(55)
Sanken(2)
Semtech Corporation(76)
SMC Diode Solutions(248)
STMicroelectronics(1052)
Taiwan Semiconductor Corporation(2068)
Texas Instruments(206)
Toshiba Semiconductor and Storage(11)
Transphorm(11)
Trinamic Motion Control GmbH(4)
TT Electronics/Optek Technology(6)
Vicor Corporation(1)
Vishay Semiconductor Diodes Division(772)
Vishay Siliconix(3249)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 24A（Tc） 128W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R095C7XKSA1
仓库库存编号：
IPP65R095C7XKSA1-ND
别名：SP001080122
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 120A（Tc） 313W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB048N15N5LFATMA1
仓库库存编号：
IPB048N15N5LFATMA1-ND
别名：SP001503860
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 18A（Tc） 101W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R125C7XKSA1
仓库库存编号：
IPW65R125C7XKSA1-ND
别名：SP001080138
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 52A 200W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 52A 200W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC50KPBF
仓库库存编号：
IRG4PC50KPBF-ND
别名：*IRG4PC50KPBF
SP001545724
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 141A 543W TO-220
详细描述：IGBT 1200V 141A 543W Through Hole SUPER-220? (TO-273AA)
型号：
AUIRGDC0250
仓库库存编号：
AUIRGDC0250-ND
别名：SP001511678
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 41A 160W TO247-3
详细描述：IGBT 1200V 41A 160W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PH40UD-EPBF
仓库库存编号：
IRG4PH40UD-EPBF-ND
别名：*IRG4PH40UD-EPBF
IRG4PH40UDEPBF
SP001537194
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 75A 520W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 75A 520W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC60UPBF
仓库库存编号：
IRG4PC60UPBF-ND
别名：*IRG4PC60UPBF
63-0007PBF
63-0007PBF-ND
SP001540562
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 45A 200W TO247AC
详细描述：IGBT 1200V 45A 200W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PH50KPBF
仓库库存编号：
IRG4PH50KPBF-ND
别名：*IRG4PH50KPBF
SP001541998
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW20N60CFDFKSA1
仓库库存编号：
SPW20N60CFDFKSA1-ND
别名：SP000014535
SPW20N60CFD
SPW20N60CFD-ND
SPW20N60CFDIN
SPW20N60CFDIN-ND
SPW20N60CFDX
SPW20N60CFDXK
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 70A 200W TO247AD
详细描述：IGBT 600V 70A 200W Through Hole TO-247AD
型号：
IRG4PC50F-EPBF
仓库库存编号：
IRG4PC50F-EPBF-ND
别名：SP001545714
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 75A 390W TO247AD
详细描述：IGBT NPT 600V 75A 390W Through Hole TO-247AD
型号：
IRGP50B60PD1-EP
仓库库存编号：
IRGP50B60PD1-EP-ND
别名：SP001532834
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 35A（Tc） 162W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB60R060C7ATMA1
仓库库存编号：
IPB60R060C7ATMA1-ND
别名：SP001385008
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 31A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R099CPXKSA1
仓库库存编号：
IPI60R099CPXKSA1-ND
别名：IPI60R099CP
IPI60R099CP-ND
IPI60R099CPAKSA1
SP000297356
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 41A 250W TO247-3
详细描述：IGBT NPT 600V 41A 250W Through Hole PG-TO247-3
型号：
SKW30N60FKSA1
仓库库存编号：
SKW30N60FKSA1-ND
别名：SKW30N60
SKW30N60-ND
SP000012484
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-4
详细描述：通孔 P 沟道 600V 37.9A（Tc） 278W（Tc） PG-TO247-4
型号：
IPZ60R099P6FKSA1
仓库库存编号：
IPZ60R099P6FKSA1-ND
别名：SP001313882
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 50A COPAK247
详细描述：IGBT Trench 1200V 50A 180W Through Hole TO-247AD
型号：
IRG7PH35UD-EP
仓库库存编号：
IRG7PH35UD-EP-ND
别名：SP001548020
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 171W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R065C7ATMA1
仓库库存编号：
IPB65R065C7ATMA1-ND
别名：SP001080110
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 21.7A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 21.7A（Tc） 240W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW24N60CFDFKSA1
仓库库存编号：
SPW24N60CFDFKSA1-ND
别名：SP000264428
SPW24N60CFD
SPW24N60CFD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 16A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA60R060C7XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R060C7XKSA1-ND
别名：SP001385002
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） 162W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R060C7XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R060C7XKSA1-ND
别名：SP001385014
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 85A 350W SUPER247
详细描述：IGBT 600V 85A 350W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号：
IRG4PSC71UPBF
仓库库存编号：
IRG4PSC71UPBF-ND
别名：*IRG4PSC71UPBF
SP001540512
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO247-4
详细描述：通孔 N 沟道 650V 24A（Tc） 128W（Tc） PG-TO247-4
型号：
IPZ65R095C7XKSA1
仓库库存编号：
IPZ65R095C7XKSA1-ND
别名：SP001080130
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-4
详细描述：通孔 N 沟道 600V 53.5A（Tc） 391W（Tc） PG-TO247-4
型号：
IPZ60R070P6FKSA1
仓库库存编号：
IPZ60R070P6FKSA1-ND
别名：SP001313880
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 15A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA65R065C7XKSA1
仓库库存编号：
IPA65R065C7XKSA1-ND
别名：SP001080114
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 33A（Tc） 171W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R065C7XKSA1
仓库库存编号：
IPP65R065C7XKSA1-ND
别名：SP001080100
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
644
645
646
647
648
649
650
651
652
653
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
