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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI20N60C3XKSA1
  仓库库存编号：SPI20N60C3XKSA1-ND
  别名：SP000681006
  SPI20N60C3
  SPI20N60C3-ND
  SPI20N60C3IN
  SPI20N60C3IN-ND
  SPI20N60C3X
  SPI20N60C3XK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 22.4A（Tc） 195.3W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R150CFDFKSA1
  仓库库存编号：IPW65R150CFDFKSA1-ND
  别名：SP000907038
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R120C7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R120C7XKSA1-ND
  别名：SP001385040
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 19A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 19A（Tc） 92W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R120C7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R120C7XKSA1-ND
  别名：SP001385054
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP20N60CFDXKSA1
  仓库库存编号：SPP20N60CFDXKSA1-ND
  别名：SP000681060
  SPP20N60CFD
  SPP20N60CFD-ND
  SPP20N60CFDIN
  SPP20N60CFDIN-ND
  SPP20N60CFDX
  SPP20N60CFDXK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20.7A（Tc） 35W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA20N60CFDXKSA1
  仓库库存编号：SPA20N60CFDXKSA1-ND
  别名：SP000216361
  SPA20N60CFD
  SPA20N60CFD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7455
  仓库库存编号：IRF7455-ND
  别名：*IRF7455
  SP001572180
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 22A（Tc） 110W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB60R099C7ATMA1
  仓库库存编号：IPB60R099C7ATMA1-ND
  别名：SP001297998
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 60A 308W TO247AD
  详细描述：IGBT NPT 600V 60A 308W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRGP35B60PD-EP
  仓库库存编号：IRGP35B60PD-EP-ND
  别名：SP001533980
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 16A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 139W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R199CP
  仓库库存编号：IPW60R199CP-ND
  别名：IPW60R199CPFKSA1
  IPW60R199CPX
  IPW60R199CPXK
  SP000089802
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.4A（Tc） 156W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW15N60CFDFKSA1
  仓库库存编号：SPW15N60CFDFKSA1-ND
  别名：SP000264429
  SPW15N60CFD
  SPW15N60CFD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 10A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA65R125C7XKSA1
  仓库库存编号：IPA65R125C7XKSA1-ND
  别名：SP001080136
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 40A 179W TO247-3
  详细描述：IGBT NPT 600V 40A 179W Through Hole PG-TO247-3
  
  型号：SGW20N60FKSA1
  仓库库存编号：SGW20N60FKSA1-ND
  别名：SGW20N60
  SGW20N60-ND
  SP000012466
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 34.5W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：SPA20N65C3
  仓库库存编号：SPA20N65C3IN-ND
  别名：SP000216362
  SPA20N65C3IN
  SPA20N65C3XK
  SPA20N65C3XKSA1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 24A（Tc） 128W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R095C7ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R095C7ATMA1-ND
  别名：SP001080124
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 24.3A（Tc） 240W（Tc） TO-220-3
  
  型号：SPP24N60C3XKSA1
  仓库库存编号：SPP24N60C3XKSA1-ND
  别名：SP000681068
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 900V 15A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 15A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI90R340C3XKSA1
  仓库库存编号：IPI90R340C3XKSA1-ND
  别名：IPI90R340C3
  IPI90R340C3-ND
  SP000413726
  SP000683082
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA60R099C7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R099C7XKSA1-ND
  别名：SP001297996
  
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  MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI65R110CFDXKSA1
  仓库库存编号：IPI65R110CFDXKSA1-ND
  别名：IPI65R110CFD
  IPI65R110CFD-ND
  SP000896398
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 31.2A（Tc） 34.7W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R110CFDXKSA1
  仓库库存编号：IPA65R110CFDXKSA1-ND
  别名：IPA65R110CFD
  IPA65R110CFD-ND
  SP000895230
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 19A（Tc） 92W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R120C7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R120C7XKSA1-ND
  别名：SP001385060
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V TO247-4
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 37.9A（Tc） 219W（Tc） PG-TO247-4
  
  型号：IPZ60R125P6FKSA1
  仓库库存编号：IPZ60R125P6FKSA1-ND
  别名：SP001313884
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 41A 250W TO247-3
  详细描述：IGBT NPT 600V 41A 250W Through Hole PG-TO247-3
  
  型号：SGW30N60FKSA1
  仓库库存编号：SGW30N60FKSA1-ND
  别名：SGW30N60
  SGW30N60-ND
  SP000012467
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 31A 139W TO247-3
  详细描述：IGBT NPT 600V 31A 139W Through Hole PG-TO247-3
  
  型号：SKW15N60FKSA1
  仓库库存编号：SKW15N60FKSA1-ND
  别名：SKW15N60
  SKW15N60-ND
  SP000012482
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA65R095C7XKSA1
  仓库库存编号：IPA65R095C7XKSA1-ND
  别名：SP001080126
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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