产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 22A 156W TO220-3
详细描述：IGBT NPT 600V 22A 156W Through Hole TO-262
型号：
IRGSL10B60KDPBF
仓库库存编号：
IRGSL10B60KDPBF-ND
别名：SP001545220
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 550V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW50R299CPFKSA1
仓库库存编号：
IPW50R299CPFKSA1-ND
别名：IPW50R299CP
IPW50R299CP-ND
SP000301163
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 15A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220-3
型号：
SPA15N65C3XKSA1
仓库库存编号：
SPA15N65C3XKSA1-ND
别名：SP000293730
SPA15N65C3
SPA15N65C3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 15A（Tc） 156W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI15N65C3XKSA1
仓库库存编号：
SPI15N65C3XKSA1-ND
别名：SP000681002
SPI15N65C3
SPI15N65C3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 25A 25W, 28W Surface Mount Dual PQFN (5x4)
型号：
IRFH4257DTRPBF
仓库库存编号：
IRFH4257DTRPBFCT-ND
别名：IRFH4257DTRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 21A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 560V 21A（Tc） 34.5W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA21N50C3
仓库库存编号：
SPA21N50C3IN-ND
别名：SP000216364
SPA21N50C3IN
SPA21N50C3X
SPA21N50C3XK
SPA21N50C3XKSA1
SPA21N50C3XTIN
SPA21N50C3XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R280C6FKSA1
仓库库存编号：
IPW65R280C6FKSA1-ND
别名：IPW65R280C6
IPW65R280C6-ND
SP000785060
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 21A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 560V 21A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI21N50C3XKSA1
仓库库存编号：
SPI21N50C3XKSA1-ND
别名：SP000681012
SPI21N50C3
SPI21N50C3-ND
SPI21N50C3X
SPI21N50C3XK
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 31A 208W TO262
详细描述：IGBT NPT 600V 31A 208W Through Hole PG-TO262-3
型号：
IRGSL15B60KDPBF
仓库库存编号：
IRGSL15B60KDPBF-ND
别名：SP001546378
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 198W TO263-3
详细描述：IGBT NPT 1200V 30A 198W Surface Mount PG-TO263-3
型号：
SGB15N120ATMA1
仓库库存编号：
SGB15N120ATMA1TR-ND
别名：SGB15N120
SGB15N120-ND
SP000012560
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO220-FP
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.4A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA15N60CFDXKSA1
仓库库存编号：
SPA15N60CFDXKSA1-ND
别名：SP000264432
SPA15N60CFD
SPA15N60CFD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 74A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 55V 42A（Tc） 200W（Tc） TO-262
型号：
AUIRF4905L
仓库库存编号：
AUIRF4905L-ND
别名：SP001521094
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 13A 60W D2PAK
详细描述：IGBT 600V 13A 60W Surface Mount D2PAK
型号：
IRG4BC20UDSTRRP
仓库库存编号：
IRG4BC20UDSTRRP-ND
别名：SP001535602
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 19A（Tc） 92W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB60R120C7ATMA1
仓库库存编号：
IPB60R120C7ATMA1-ND
别名：SP001385048
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 18A（Ta） 101W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R125C7ATMA1
仓库库存编号：
IPB65R125C7ATMA1-ND
别名：SP001080134
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 21A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R165CPXKSA1
仓库库存编号：
IPA60R165CPXKSA1-ND
别名：IPA60R165CP
IPA60R165CP-ND
SP000096437
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 21A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 21A（Tc） 192W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R165CPAKSA1
仓库库存编号：
IPI60R165CPAKSA1-ND
别名：IPI60R165CP
IPI60R165CP-ND
SP000276736
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 17A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 550V 17A（Tc） 139W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW50R199CPFKSA1
仓库库存编号：
IPW50R199CPFKSA1-ND
别名：IPW50R199CP
IPW50R199CP-ND
SP000236096
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 198W TO220-3
详细描述：IGBT NPT 1200V 30A 198W Through Hole PG-TO220-3
型号：
SGP15N120XKSA1
仓库库存编号：
SGP15N120XKSA1-ND
别名：SGP15N120
SGP15N120-ND
SP000683122
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 23A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 550V 23A（Tc） 192W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP50R140CPHKSA1
仓库库存编号：
IPP50R140CPHKSA1-ND
别名：IPP50R140CP
IPP50R140CP-ND
SP000234986
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW11N60CFDFKSA1
仓库库存编号：
SPW11N60CFDFKSA1-ND
别名：SP000014534
SPW11N60CFD
SPW11N60CFD-ND
SPW11N60CFDIN
SPW11N60CFDIN-ND
SPW11N60CFDX
SPW11N60CFDXK
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13A（Tc） 72W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R190C7XKSA1
仓库库存编号：
IPW65R190C7XKSA1-ND
别名：SP001080142
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 105A（Tc） 179W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB083N15N5LFATMA1
仓库库存编号：
IPB083N15N5LFATMA1-ND
别名：SP001503862
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R190C6FKSA1
仓库库存编号：
IPW65R190C6FKSA1-ND
别名：IPW65R190C6
IPW65R190C6-ND
SP000863902
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R190E6FKSA1
仓库库存编号：
IPW65R190E6FKSA1-ND
别名：IPW65R190E6
IPW65R190E6-ND
SP000863906
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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