产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-3
型号：
SPA11N60CFDXKSA1
仓库库存编号：
SPA11N60CFDXKSA1-ND
别名：SP000216317
SPA11N60CFD
SPA11N60CFD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R190C6XKSA1
仓库库存编号：
IPA65R190C6XKSA1-ND
别名：IPA65R190C6
IPA65R190C6-ND
SP000863892
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R190E6XKSA1
仓库库存编号：
IPA65R190E6XKSA1-ND
别名：IPA65R190E6
IPA65R190E6-ND
SP000863904
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R190C6XKSA1
仓库库存编号：
IPI65R190C6XKSA1-ND
别名：IPI65R190C6
IPI65R190C6-ND
SP000863900
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP06N60C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP06N60C3HKSA1-ND
别名：SP000014697
SPP06N60C3
SPP06N60C3-ND
SPP06N60C3IN
SPP06N60C3IN-ND
SPP06N60C3X
SPP06N60C3XK
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 550V 17A（Tc） 139W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP50R199CPHKSA1
仓库库存编号：
IPP50R199CPHKSA1-ND
别名：SP000236074
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 31A 208W D2PAK
详细描述：IGBT NPT 600V 31A 208W Surface Mount D2PAK
型号：
IRGS15B60KPBF
仓库库存编号：
IRGS15B60KPBF-ND
别名：SP001535722
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 23A 100W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 23A 100W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC30UPBF
仓库库存编号：
IRG4PC30UPBF-ND
别名：*IRG4PC30UPBF
SP001536064
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 9A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 560V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW50R399CPFKSA1
仓库库存编号：
IPW50R399CPFKSA1-ND
别名：IPW50R399CP
IPW50R399CP-ND
SP000259980
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R420CFDFKSA1
仓库库存编号：
IPW65R420CFDFKSA1-ND
别名：IPW65R420CFD
IPW65R420CFD-ND
SP000890686
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 34A 100W D2PAK
详细描述：IGBT 600V 34A 100W Surface Mount D2PAK
型号：
AUIRG4BC30SSTRL
仓库库存编号：
AUIRG4BC30SSTRL-ND
别名：SP001511460
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 23A 100W D2PAK
详细描述：IGBT 600V 23A 100W Surface Mount D2PAK
型号：
AUIRG4BC30USTRL
仓库库存编号：
AUIRG4BC30USTRL-ND
别名：SP001512374
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 31A 100W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 31A 100W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC30FPBF
仓库库存编号：
IRG4PC30FPBF-ND
别名：*IRG4PC30FPBF
SP001537154
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 34A 100W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 34A 100W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC30SPBF
仓库库存编号：
IRG4PC30SPBF-ND
别名：*IRG4PC30SPBF
SP001544804
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 10A TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 550V 10A（Tc） 89W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW50R350CPFKSA1
仓库库存编号：
IPW50R350CPFKSA1-ND
别名：IPW50R350CP
IPW50R350CP-ND
SP000301164
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 31A 100W D2PAK
详细描述：IGBT 600V 31A 100W Surface Mount D2PAK
型号：
IRG4BC30FDSTRRP
仓库库存编号：
IRG4BC30FDSTRRP-ND
别名：SP001541970
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 13A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 800V 13A（Tc） 30W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPAN80R360P7XKSA1
仓库库存编号：
IPAN80R360P7XKSA1-ND
别名：SP001702158
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 40A 160W D2PAK
详细描述：IGBT 600V 40A 160W Surface Mount D2PAK
型号：
IRG4BC40W-STRRP
仓库库存编号：
IRG4BC40W-STRRP-ND
别名：SP001537010
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R310CFDFKSA1
仓库库存编号：
IPW65R310CFDFKSA1-ND
别名：IPW65R310CFD
IPW65R310CFD-ND
SP000890688
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 160W TO247AC
详细描述：IGBT 1200V 30A 160W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PH40KPBF
仓库库存编号：
IRG4PH40KPBF-ND
别名：*IRG4PH40KPBF
SP001549272
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 38A（Tc） 3.1W（Ta），170W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF5210STRL
仓库库存编号：
AUIRF5210STRLTR-ND
别名：AUIRF5210STRLTR
SP001519458
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 139W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R199CPXKSA1
仓库库存编号：
IPI60R199CPXKSA1-ND
别名：IPI60R199CP
IPI60R199CP-ND
IPI60R199CPX
IPI60R199CPXK
SP000103248
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 28A 100W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 28A 100W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC30KPBF
仓库库存编号：
IRG4PC30KPBF-ND
别名：*IRG4PC30KPBF
SP001537224
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 22.4A（Tc） 195.3W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI65R150CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPI65R150CFDXKSA1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R280E6
仓库库存编号：
IPW60R280E6-ND
别名：IPW60R280E6FKSA1
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