产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(24622)
二极管 - 桥式整流器
(2994)
二极管 - 射频
(34)
二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）
(173)
二极管 - 齐纳 - 阵列
(32)
二极管 - 齐纳 - 单
(707)
晶闸管 - SCR - 模块
(6)
晶闸管 - TRIAC
(1)
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
(323)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
(93)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
(2992)
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
(2014)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(13335)
晶体管 - IGBT - 阵列
(15)
晶体管 - IGBT - 模块
(120)
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
(1543)
晶体管 - JFET
(240)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(977)
Analog Devices Inc.(8)
Bourns Inc.(6)
Central Semiconductor Corp(40)
Comchip Technology(375)
Cree/Wolfspeed(23)
Diodes Incorporated(2470)
Fairchild/Micross Components(3)
Fairchild/ON Semiconductor(3813)
GeneSiC Semiconductor(248)
Global Power Technologies Group(163)
Infineon Technologies(2769)
IXYS(2092)
Micro Commercial Co(369)
Microchip Technology(181)
Microsemi Corporation(679)
Nexperia USA Inc.(325)
NXP USA Inc.(156)
ON Semiconductor(2161)
Powerex Inc.(2)
Renesas Electronics America(1)
Rohm Semiconductor(55)
Sanken(2)
Semtech Corporation(76)
SMC Diode Solutions(248)
STMicroelectronics(1052)
Taiwan Semiconductor Corporation(2068)
Texas Instruments(206)
Toshiba Semiconductor and Storage(11)
Transphorm(11)
Trinamic Motion Control GmbH(4)
TT Electronics/Optek Technology(6)
Vicor Corporation(1)
Vishay Semiconductor Diodes Division(772)
Vishay Siliconix(3249)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 13A（Tc） 72W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R190C7ATMA1
仓库库存编号：
IPB65R190C7ATMA1-ND
别名：SP000929424
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R190C6ATMA1
仓库库存编号：
IPB65R190C6ATMA1CT-ND
别名：IPB65R190C6CT
IPB65R190C6CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 42A 160W TO220AB
详细描述：IGBT 600V 42A 160W Through Hole TO-220AB
型号：
IRG4BC40KPBF
仓库库存编号：
IRG4BC40KPBF-ND
别名：*IRG4BC40KPBF
SP001535642
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 14A 49W D2PAK
详细描述：IGBT 600V 14A 49W Surface Mount D2PAK
型号：
IRG4BC15UDSTRLP
仓库库存编号：
IRG4BC15UDSTRLP-ND
别名：SP001535854
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 23.8A（Tc） 176W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB60R160P6ATMA1
仓库库存编号：
IPB60R160P6ATMA1-ND
别名：SP001313876
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 17A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 550V 17A（Tc） 139W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB50R199CPATMA1
仓库库存编号：
IPB50R199CPATMA1TR-ND
别名：IPB50R199CP
IPB50R199CP-ND
SP000236092
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 16.5A 125W TO263-3-2
详细描述：IGBT NPT 1200V 16.5A 125W Surface Mount PG-TO263-3-2
型号：
SGB07N120ATMA1
仓库库存编号：
SGB07N120ATMA1TR-ND
别名：SGB07N120
SGB07N120-ND
SP000012559
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 6A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 700V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R660CFDFKSA1
仓库库存编号：
IPW65R660CFDFKSA1-ND
别名：IPW65R660CFD
IPW65R660CFD-ND
SP000861700
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 160A（Tc） 195W（Tc） D2PAK
型号：
IRLS3813PBF
仓库库存编号：
IRLS3813PBF-ND
别名：SP001576946
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 11A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 800V 11A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220-3
型号：
SPA11N80C3XKSA2
仓库库存编号：
SPA11N80C3XKSA2-ND
别名：SP000216321
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 33W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R299CPXKSA1
仓库库存编号：
IPA60R299CPXKSA1-ND
别名：IPA60R299CP
IPA60R299CP-ND
SP000096438
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA65R225C7XKSA1
仓库库存编号：
IPA65R225C7XKSA1-ND
别名：SP001080144
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
SPP04N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP04N60C3XKSA1-ND
别名：SP000681024
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 13A 60W D2PAK
详细描述：IGBT 600V 13A 60W Surface Mount D2PAK
型号：
IRG4BC20UD-SPBF
仓库库存编号：
IRG4BC20UD-SPBF-ND
别名：*IRG4BC20UD-SPBF
SP001535986
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 560V 16A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220-3
型号：
SPA16N50C3
仓库库存编号：
SPA16N50C3IN-ND
别名：SP000216351
SPA16N50C3IN
SPA16N50C3X
SPA16N50C3XK
SPA16N50C3XKSA1
SPA16N50C3XTIN
SPA16N50C3XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI11N65C3XKSA1
仓库库存编号：
SPI11N65C3XKSA1-ND
别名：SP000680994
SPI11N65C3
SPI11N65C3-ND
SPI11N65C3IN
SPI11N65C3IN-ND
SPI11N65C3X
SPI11N65C3XK
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP
详细描述：通孔 N 沟道 600V 8.1A（Tc） 29W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R520C6
仓库库存编号：
IPA60R520C6-ND
别名：IPA60R520C6XKSA1
SP000645072
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 900V 5.7A（Tc） 89W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW90R1K0C3FKSA1
仓库库存编号：
IPW90R1K0C3FKSA1-ND
别名：IPW90R1K0C3
IPW90R1K0C3-ND
SP000413752
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 9A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA60R180C7XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R180C7XKSA1-ND
别名：SP001296216
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R190C6XKSA1
仓库库存编号：
IPI60R190C6XKSA1-ND
别名：IPI60R190C6
IPI60R190C6-ND
SP000660618
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP11N65C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP11N65C3XKSA1-ND
别名：SP000681046
SPP11N65C3
SPP11N65C3-ND
SPP11N65C3BKSA1
SPP11N65C3IN
SPP11N65C3IN-ND
SPP11N65C3X
SPP11N65C3XK
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 33W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R250CPXKSA1
仓库库存编号：
IPA60R250CPXKSA1-ND
别名：IPA60R250CP
IPA60R250CP-ND
SP000310226
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI11N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPI11N60C3XKSA1-ND
别名：SP000680986
SPI11N60C3
SPI11N60C3BKSA1
SPI11N60C3IN
SPI11N60C3IN-ND
SPI11N60C3X
SPI11N60C3X-ND
SPI11N60C3XK
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R190CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPI65R190CFDXKSA1-ND
别名：IPI65R190CFD
IPI65R190CFD-ND
SP000905386
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 11A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 900V 11A（Tc） 156W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI90R500C3XKSA1
仓库库存编号：
IPI90R500C3XKSA1-ND
别名：IPI90R500C3
IPI90R500C3-ND
SP000413728
SP000683084
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
640
641
642
643
644
645
646
647
648
649
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
