产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 650V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R385CPXKSA1
仓库库存编号：
IPI60R385CPXKSA1-ND
别名：IPI60R385CP
IPI60R385CP-ND
IPI60R385CPAKSA1
IPI60R385CPX
IPI60R385CPXK
SP000103250
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R385CPXKSA1
仓库库存编号：
IPP60R385CPXKSA1-ND
别名：IPP60R385CP
IPP60R385CP-ND
IPP60R385CPAKSA1
IPP60R385CPX
IPP60R385CPXK
SP000082281
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB60R299CP
仓库库存编号：
IPB60R299CPCT-ND
别名：IPB60R299CPCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.6A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA07N60CFDXKSA1
仓库库存编号：
SPA07N60CFDXKSA1-ND
别名：SP000264431
SPA07N60CFD
SPA07N60CFD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11.4A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R310CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPA65R310CFDXKSA1-ND
别名：IPA65R310CFD
IPA65R310CFD-ND
SP000890320
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R310CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPI65R310CFDXKSA1-ND
别名：IPI65R310CFD
IPI65R310CFD-ND
SP000891700
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R280C6XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R280C6XKSA1-ND
别名：IPP60R280C6
IPP60R280C6-ND
SP000645028
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 32W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R280E6XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R280E6XKSA1-ND
别名：IPA60R280E6
IPA60R280E6-ND
SP000797292
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R280E6XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R280E6XKSA1-ND
别名：IPP60R280E6
IPP60R280E6-ND
SP000797290
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 560V 11.6A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA12N50C3XKSA1
仓库库存编号：
SPA12N50C3XKSA1-ND
别名：SP000216322
SPA12N50C3
SPA12N50C3IN
SPA12N50C3IN-ND
SPA12N50C3X
SPA12N50C3XK
SPA12N50C3XTIN
SPA12N50C3XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 16A（Tc） 160W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB16N50C3
仓库库存编号：
SPB16N50C3INCT-ND
别名：SPB16N50C3INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 14A 49W TO262
详细描述：IGBT 600V 14A 49W Through Hole TO-262
型号：
IRG4BC15UD-LPBF
仓库库存编号：
IRG4BC15UD-LPBF-ND
别名：*IRG4BC15UD-LPBF
SP001535612
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 13A 90W TO262
详细描述：IGBT NPT 600V 13A 90W Through Hole TO-262
型号：
IRGSL6B60KDPBF
仓库库存编号：
IRGSL6B60KDPBF-ND
别名：*IRGSL6B60KDPBF
63-2008PBF
63-2008PBF-ND
SP001540950
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220FP
型号：
SPA07N65C3XKSA1
仓库库存编号：
SPA07N65C3XKSA1-ND
别名：SP000216305
SPA07N65C3
SPA07N65C3IN
SPA07N65C3IN-ND
SPA07N65C3XK
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 14A 38W D2PAK
详细描述：IGBT 600V 14A 38W Surface Mount D2PAK
型号：
IRG4BC10SD-SPBF
仓库库存编号：
IRG4BC10SD-SPBF-ND
别名：*IRG4BC10SD-SPBF
SP001532504
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 13A（Tc） 68W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB60R180C7ATMA1
仓库库存编号：
IPB60R180C7ATMA1-ND
别名：SP001296224
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 22A 156W TO220AB
详细描述：IGBT NPT 600V 22A 156W Through Hole TO-220AB
型号：
IRGB10B60KDPBF
仓库库存编号：
IRGB10B60KDPBF-ND
别名：*IRGB10B60KDPBF
SP001542270
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R280E6
仓库库存编号：
IPP65R280E6-ND
别名：IPP65R280E6XKSA1
SP000795268
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R280C6XKSA1
仓库库存编号：
IPP65R280C6XKSA1-ND
别名：IPP65R280C6
IPP65R280C6-ND
SP000785058
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI65R280E6XKSA1
仓库库存编号：
IPI65R280E6XKSA1-ND
别名：SP000795270
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 560V 11.6A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI12N50C3XKSA1
仓库库存编号：
SPI12N50C3XKSA1-ND
别名：SP000680996
SPI12N50C3
SPI12N50C3-ND
SPI12N50C3IN
SPI12N50C3IN-ND
SPI12N50C3X
SPI12N50C3XK
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 32W（Tc） TO-220 整包
型号：
IPA65R280C6XKSA1
仓库库存编号：
IPA65R280C6XKSA1-ND
别名：IPA65R280C6
IPA65R280C6-ND
SP000720898
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R280C6XKSA1
仓库库存编号：
IPI65R280C6XKSA1-ND
别名：IPI65R280C6
IPI65R280C6-ND
SP000785056
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 23A 100W D2PAK
详细描述：IGBT 600V 23A 100W Surface Mount D2PAK
型号：
IRG4BC30W-STRLP
仓库库存编号：
IRG4BC30W-STRLPCT-ND
别名：IRG4BC30W-STRLPCT
IRG4BC30WSTRLP
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 28A 100W TO220AB
详细描述：IGBT 600V 28A 100W Through Hole TO-220AB
型号：
IRG4BC30KPBF
仓库库存编号：
IRG4BC30KPBF-ND
别名：*IRG4BC30KPBF
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