以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 8.7A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI65R420CFDXKSA1
  仓库库存编号：IPI65R420CFDXKSA1-ND
  别名：IPI65R420CFD
  IPI65R420CFD-ND
  SP000891702
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R420CFDXKSA1
  仓库库存编号：IPP65R420CFDXKSA1-ND
  别名：IPP65R420CFD
  IPP65R420CFD-ND
  SP000876824
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.2A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA06N60C3
  仓库库存编号：SPA06N60C3IN-ND
  别名：SP000216301
  SPA06N60C3IN
  SPA06N60C3XK
  SPA06N60C3XKSA1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 12A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 550V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB50R299CPATMA1
  仓库库存编号：IPB50R299CPATMA1TR-ND
  别名：IPB50R299CP
  IPB50R299CP-ND
  SP000236094
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB60R385CP
  仓库库存编号：IPB60R385CPCT-ND
  别名：IPB60R385CPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3-2
  详细描述：IGBT NPT 1200V 6.2A 62W Surface Mount PG-TO263-3-2
  
  型号：SKB02N120ATMA1
  仓库库存编号：SKB02N120ATMA1TR-ND
  别名：SKB02N120
  SKB02N120-ND
  SP000012567
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 13A 90W TO220AB
  详细描述：IGBT NPT 600V 13A 90W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRGB6B60KDPBF
  仓库库存编号：IRGB6B60KDPBF-ND
  别名：*IRGB6B60KDPBF
  SP001532684
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 10A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 10A（Tc） 89W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP50R350CPXKSA1
  仓库库存编号：IPP50R350CPXKSA1-ND
  别名：IPP50R350CP
  IPP50R350CPIN
  IPP50R350CPIN-ND
  IPP50R350CPXK
  SP000680940
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 10A（Tc） 89W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP50R350CPHKSA1
  仓库库存编号：IPP50R350CPHKSA1-ND
  别名：SP000236069
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R380C6XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R380C6XKSA1-ND
  别名：IPP65R380C6
  IPP65R380C6-ND
  SP000785082
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 31W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R380C6XKSA1
  仓库库存编号：IPA65R380C6XKSA1-ND
  别名：IPA65R380C6
  IPA65R380C6-ND
  SP000720896
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 6.9A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI90R800C3XKSA1
  仓库库存编号：IPI90R800C3XKSA1-ND
  别名：IPI90R800C3
  IPI90R800C3-ND
  SP000413730
  SP000683086
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 16.8A 3TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 16.8A（Tc） 126W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB60R230P6ATMA1
  仓库库存编号：IPB60R230P6ATMA1-ND
  别名：SP001364466
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 11.6A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB12N50C3
  仓库库存编号：SPB12N50C3INCT-ND
  别名：SPB12N50C3INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI65R380C6XKSA1
  仓库库存编号：IPI65R380C6XKSA1-ND
  别名：IPI65R380C6
  IPI65R380C6-ND
  SP000785080
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R280E6ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R280E6ATMA1-ND
  别名：SP000795274
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 13A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 550V 13A（Tc） 114W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB50R250CPATMA1
  仓库库存编号：IPB50R250CPATMA1TR-ND
  别名：IPB50R250CP
  IPB50R250CP-ND
  SP000236093
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP07N60C3XKSA1
  仓库库存编号：SPP07N60C3XKSA1-ND
  别名：SP000681030
  SPP07N60C3
  SPP07N60C3IN
  SPP07N60C3IN-ND
  SPP07N60C3X
  SPP07N60C3XK
  SPP07N60C3XTIN
  SPP07N60C3XTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 13.8A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R280C6ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R280C6ATMA1CT-ND
  别名：IPB65R280C6CT
  IPB65R280C6CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI07N60C3XKSA1
  仓库库存编号：SPI07N60C3XKSA1-ND
  别名：SP000680976
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 6.2A 62W TO220-3
  详细描述：IGBT NPT 1200V 6.2A 62W Through Hole PG-TO220-3
  
  型号：SKP02N120XKSA1
  仓库库存编号：SKP02N120XKSA1-ND
  别名：SKP02N120
  SKP02N120-ND
  SP000683134
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA50R299CPXKSA1
  仓库库存编号：IPA50R299CPXKSA1-ND
  别名：IPA50R299CP
  IPA50R299CP-ND
  SP000236079
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP50R299CPHKSA1
  仓库库存编号：IPP50R299CPHKSA1-ND
  别名：SP000236070
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 13A 90W D2PAK
  详细描述：IGBT NPT 600V 13A 90W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRGS6B60KDTRLP
  仓库库存编号：IRGS6B60KDTRLPCT-ND
  别名：IRGS6B60KDTRLPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 13A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R180C7ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R180C7ATMA1-ND
  别名：SP001277630
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索