产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.4A(Ta),63A(Tc) 114W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC159N10LSF G
仓库库存编号:
BSC159N10LSFGATMA1CT-ND
别名:BSC159N10LSF GCT
BSC159N10LSF GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI90R1K2C3XKSA1
仓库库存编号:
IPI90R1K2C3XKSA1-ND
别名:IPI90R1K2C3
IPI90R1K2C3-ND
SP000413724
SP000683080
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 12A(Tc) 93W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB60R330P6ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R330P6ATMA1-ND
别名:SP001364470
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 550V 7.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R520CPHKSA1
仓库库存编号:
IPP50R520CPHKSA1-ND
别名:IPP50R520CP
IPP50R520CP-ND
SP000236068
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 7.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R520CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP50R520CPXKSA1-ND
别名:SP000680944
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 30V 13A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
AUIRF7805QTR
仓库库存编号:
AUIRF7805QTRTR-ND
别名:AUIRF7805QTRTR
SP001519422
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 120mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP135H6906XTSA1
仓库库存编号:
BSP135H6906XTSA1-ND
别名:SP001058594
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 8.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R520C6
仓库库存编号:
IPP60R520C6-ND
别名:IPP60R520C6XKSA1
SP000645068
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 8.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R520E6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R520E6XKSA1-ND
别名:IPP60R520E6
IPP60R520E6-ND
SP000797294
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6A(Tc) 27.8W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R660CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R660CFDXKSA1-ND
别名:IPA65R660CFD
IPA65R660CFD-ND
SP000838284
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI65R660CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPI65R660CFDXKSA1-ND
别名:IPI65R660CFD
IPI65R660CFD-ND
SP000861696
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R660CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPP65R660CFDXKSA1-ND
别名:IPP65R660CFD
IPP65R660CFD-ND
SP000745026
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 21A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3
型号:
BUZ30AH3045AATMA1
仓库库存编号:
BUZ30AH3045AATMA1CT-ND
别名:BUZ30AH3045AINCT
BUZ30AH3045AINCT-ND
BUZ30AL3045AINCT
BUZ30AL3045AINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R380C6ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R380C6ATMA1CT-ND
别名:IPB65R380C6CT
IPB65R380C6CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 11A 60W D2PAK
详细描述:IGBT 1200V 11A 60W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BH20K-STRLP
仓库库存编号:
IRG4BH20K-STRLP-ND
别名:SP001540346
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
IGBT 600V 13A 90W D2PAK
详细描述:IGBT NPT 600V 13A 90W Surface Mount D2PAK
型号:
IRGS6B60KTRLPBF
仓库库存编号:
IRGS6B60KTRLPBFCT-ND
别名:IRGS6B60KTRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9.2A(Tc) 30W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R450E6XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R450E6XKSA1-ND
别名:IPA60R450E6
IPA60R450E6-ND
SP000842484
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.7A(Tc) 89W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP90R1K0C3XKSA1
仓库库存编号:
IPP90R1K0C3XKSA1-ND
别名:IPP90R1K0C3
IPP90R1K0C3-ND
SP000413744
SP000683094
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
IGBT 600V 13A 90W TO220AB
详细描述:IGBT NPT 600V 13A 90W Through Hole TO-220AB
型号:
IRGB6B60KPBF
仓库库存编号:
IRGB6B60KPBF-ND
别名:*IRGB6B60KPBF
SP001537610
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 560V 7.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI08N50C3XKSA1
仓库库存编号:
SPI08N50C3XKSA1-ND
别名:SP000680984
SPI08N50C3
SPI08N50C3-ND
SPI08N50C3IN
SPI08N50C3IN-ND
SPI08N50C3X
SPI08N50C3XK
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO-263
型号:
IPB60R280P6ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R280P6ATMA1-ND
别名:SP001364468
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R380C6XKSA1
仓库库存编号:
IPI60R380C6XKSA1-ND
别名:IPI60R380C6
IPI60R380C6-ND
SP000660630
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 560V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R399CPHKSA1
仓库库存编号:
IPP50R399CPHKSA1-ND
别名:IPP50R399CP
IPP50R399CP-ND
SP000234985
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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MOSFET N-CH 500V 9A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 500V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50R399CPXKSA2
仓库库存编号:
IPI50R399CPXKSA2-ND
别名:IPI50R399CP
IPI50R399CP-ND
SP001109552
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 8.7A(Tc) 31.2W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R420CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R420CFDXKSA1-ND
别名:IPA65R420CFD
IPA65R420CFD-ND
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