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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R420CFDBTMA1
  仓库库存编号：IPD65R420CFDBTMA1CT-ND
  别名：IPD65R420CFDCT
  IPD65R420CFDCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R420CFDATMA1
  仓库库存编号：IPD65R420CFDATMA1-ND
  别名：SP001117738
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO252-3-1
  
  型号：SPD06N60C3ATMA1
  仓库库存编号：SPD06N60C3ATMA1-ND
  别名：SP001117770
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC0500NSIATMA1
  仓库库存编号：BSC0500NSIATMA1-ND
  别名：SP001288136
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 31A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ014NE2LS5IFATMA1
  仓库库存编号：BSZ014NE2LS5IFATMA1-ND
  别名：SP001258924
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ0500NSIATMA1
  仓库库存编号：BSZ0500NSIATMA1-ND
  别名：SP001288150
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AUIRF7316QTR
  仓库库存编号：AUIRF7316QTR-ND
  别名：SP001518472
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.5A, 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AUIRF7319QTR
  仓库库存编号：AUIRF7319QTR-ND
  别名：SP001520168
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 13A 60W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 13A 60W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRG4BC20WPBF
  仓库库存编号：IRG4BC20WPBF-ND
  别名：*IRG4BC20WPBF
  SP001541952
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3
  详细描述：IGBT NPT 1200V 6.2A 62W Surface Mount PG-TO263-3
  
  型号：SGB02N120
  仓库库存编号：SGB02N120ATMA1CT-ND
  别名：SGB02N120CT
  SGB02N120CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：AUIRF7416QTR
  仓库库存编号：AUIRF7416QTR-ND
  别名：SP001516460
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 83W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC027N06LS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC027N06LS5ATMA1-ND
  别名：SP001385616
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 13A 60W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 13A 60W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRG4BC20W-SPBF
  仓库库存编号：IRG4BC20W-SPBF-ND
  别名：*IRG4BC20W-SPBF
  SP001547922
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R600P6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R600P6XKSA1-ND
  别名：IPP60R600P6
  IPP60R600P6-ND
  SP001017054
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 30A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），104W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC019N02KSGAUMA1
  仓库库存编号：BSC019N02KSGAUMA1TR-ND
  别名：BSC019N02KS G
  BSC019N02KS G-ND
  SP000307376
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 9A 38W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 9A 38W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRG4BC10KDPBF
  仓库库存编号：IRG4BC10KDPBF-ND
  别名：*IRG4BC10KDPBF
  SP001532484
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R600E6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R600E6XKSA1-ND
  别名：IPA60R600E6
  IPA60R600E6-ND
  SP000797298
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R600E6
  仓库库存编号：IPP60R600E6-ND
  别名：IPP60R600E6XKSA1
  SP000797630
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R600C6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R600C6XKSA1-ND
  别名：IPA60R600C6
  IPA60R600C6-ND
  SP000660624
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N CH 40V 14A 8-SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：AUIRF7484QTR
  仓库库存编号：AUIRF7484QTRTR-ND
  别名：AUIRF7484QTRTR
  SP001519200
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 11A, 31A 1W Surface Mount PG-TISON-8
  
  型号：BSC0910NDIATMA1
  仓库库存编号：BSC0910NDIATMA1-ND
  别名：SP000998052
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R600C6XKSA1
  仓库库存编号：IPA65R600C6XKSA1-ND
  别名：IPA65R600C6
  IPA65R600C6-ND
  SP000850502
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI65R600C6XKSA1
  仓库库存编号：IPI65R600C6XKSA1-ND
  别名：IPI65R600C6
  IPI65R600C6-ND
  SP000850504
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R600E6XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R600E6XKSA1-ND
  别名：IPP65R600E6
  IPP65R600E6-ND
  SP000850500
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R600C6XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R600C6XKSA1-ND
  别名：IPP65R600C6
  IPP65R600C6-ND
  SP000661310
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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