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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3709STRLPBF
  仓库库存编号：IRF3709STRLPBF-ND
  别名：SP001559576
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU03N60S5BKMA1
  仓库库存编号：SPU03N60S5BKMA1-ND
  别名：SP000012423
  SPU03N60S5
  SPU03N60S5-ND
  SPU03N60S5IN
  SPU03N60S5IN-ND
  SPU03N60S5X
  SPU03N60S5XK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 91A（Tc） 115W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8103VPBF
  仓库库存编号：IRLR8103VPBF-ND
  别名：SP001567340
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 68A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 68A（Tc） 83W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7787TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7787TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7787TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 5.7A（Tc） 83W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU80R1K0CEAKMA1
  仓库库存编号：IPU80R1K0CEAKMA1-ND
  别名：SP001593928
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 7A 1.6W Surface Mount P-DSO-8
  
  型号：BSO203PHXUMA1
  仓库库存编号：BSO203PHXUMA1CT-ND
  别名：BSO203P HCT
  BSO203P HCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 7.8A 52W DPAK
  详细描述：IGBT NPT 600V 7.8A 52W Surface Mount D-Pak
  
  型号：IRGR3B60KD2TRP
  仓库库存编号：IRGR3B60KD2TRPCT-ND
  别名：IRGR3B60KD2TRPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB60R600P6ATMA1
  仓库库存编号：IPB60R600P6ATMA1-ND
  别名：SP001313874
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 40V 27A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 27A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC019N04LSATMA1
  仓库库存编号：BSC019N04LSATMA1-ND
  别名：SP001067012
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.3A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AUIRF7304QTR
  仓库库存编号：AUIRF7304QTR-ND
  别名：SP001515778
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AUIRF7379QTR
  仓库库存编号：AUIRF7379QTR-ND
  别名：SP001520160
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 40V 135A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 135A（Tc） 74W（Tc） DirectFET? 等容 MF
  
  型号：IRF7483MTRPBF
  仓库库存编号：IRF7483MTRPBFCT-ND
  别名：IRF7483MTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB04N50C3ATMA1
  仓库库存编号：SPB04N50C3ATMA1TR-ND
  别名：SP000014477
  SPB04N50C3
  SPB04N50C3-ND
  SPB04N50C3INTR
  SPB04N50C3INTR-ND
  SPB04N50C3XT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7463TRPBF
  仓库库存编号：IRF7463PBFTR-ND
  别名：IRF7463PBFTR
  IRF7463TRPBF-ND
  IRF7463TRPBFTR-ND
  SP001551388
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 25V 32A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 32A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ013NE2LS5IATMA1
  仓库库存编号：BSZ013NE2LS5IATMA1-ND
  别名：SP001288148
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 6.3A 35W DPAK
  详细描述：IGBT NPT 600V 6.3A 35W Surface Mount D-Pak
  
  型号：IRGR2B60KDTRLPBF
  仓库库存编号：IRGR2B60KDTRLPBF-ND
  别名：SP001548348
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 80V 82A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 82A（Tc） 2.5W（Ta），74W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC061N08NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC061N08NS5ATMA1-ND
  别名：SP001232634
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R600C6ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R600C6ATMA1CT-ND
  别名：IPB65R600C6CT
  IPB65R600C6CT-ND
  
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  MOSFET N-CH 560V 7.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 7.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD08N50C3
  仓库库存编号：SPD08N50C3INCT-ND
  别名：SPD08N50C3INCT
  SPD08N50C3XTINCT
  SPD08N50C3XTINCT-ND
  
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  MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：AUIRF7478QTR
  仓库库存编号：AUIRF7478QTR-ND
  别名：SP001522778
  
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  IGBT 600V 14A 38W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 14A 38W Surface Mount D-Pak
  
  型号：IRG4RC10SDTRPBF
  仓库库存编号：IRG4RC10SDTRPBFCT-ND
  别名：IRG4RC10SDTRPBFCT
  
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  MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R380E6BTMA1
  仓库库存编号：IPD65R380E6BTMA1CT-ND
  别名：IPD65R380E6BTMA1CT
  IPD65R380E6CT
  IPD65R380E6CT-ND
  
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  MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R380E6ATMA1
  仓库库存编号：IPD65R380E6ATMA1-ND
  别名：SP001117736
  
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  MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.7A（Tc） 48W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R750E6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R750E6XKSA1-ND
  别名：IPP60R750E6
  IPP60R750E6-ND
  SP000842482
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 9A 38W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 9A 38W Surface Mount D-Pak
  
  型号：IRG4RC10KDTRPBF
  仓库库存编号：IRG4RC10KDTRPBFCT-ND
  别名：IRG4RC10KDTRPBFCT
  
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