产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） SOT-223
型号：
BSP135H6433XTMA1
仓库库存编号：
BSP135H6433XTMA1-ND
别名：SP001058592
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8.9A（Ta） 2.35W（Ta） 8-SO
型号：
BSO303SPNTMA1
仓库库存编号：
BSO303SPNTMA1TR-ND
别名：BSO303SPT
BSO303SPXTINTR
BSO303SPXTINTR-ND
SP000014019
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 11A（Tc） 38W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRFR9024NTRL
仓库库存编号：
AUIRFR9024NTRL-ND
别名：SP001518586
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU60R600C6AKMA1
仓库库存编号：
IPU60R600C6AKMA1-ND
别名：SP001292878
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7495TRPBF
仓库库存编号：
IRF7495TRPBFCT-ND
别名：*IRF7495TRPBF
IRF7495PBFCT
IRF7495PBFCT-ND
IRF7495TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.4A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
AUIRF7207QTR
仓库库存编号：
AUIRF7207QTR-ND
别名：SP001517970
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
AUIRF9952QTR
仓库库存编号：
AUIRF9952QTR-ND
别名：SP001517940
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPS03N60C3BKMA1
仓库库存编号：
SPS03N60C3BKMA1-ND
别名：SP000235877
SP000307418
SPS03N60C3
SPS03N60C3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 650V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPU03N60C3BKMA1
仓库库存编号：
SPU03N60C3BKMA1-ND
别名：SP000095849
SPU03N60C3
SPU03N60C3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 27A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 27A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ017NE2LS5IATMA1
仓库库存编号：
BSZ017NE2LS5IATMA1-ND
别名：SP001288152
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 17A, 32A 1W Surface Mount PG-TISON-8
型号：
BSC0924NDIATMA1
仓库库存编号：
BSC0924NDIATMA1-ND
别名：SP000934750
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 500V 3.6A（Tc） 78W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB812PBF
仓库库存编号：
IRFB812PBF-ND
别名：SP001563948
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 25A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0501NSIATMA1
仓库库存编号：
BSZ0501NSIATMA1-ND
别名：SP001281638
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3
详细描述：IGBT NPT 1200V 6.2A 62W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
SGD02N120
仓库库存编号：
SGD02N120BUMA1CT-ND
别名：SGD02N120CT
SGD02N120CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 17A, 32A 1W Surface Mount PG-TISON-8
型号：
BSC0923NDIATMA1
仓库库存编号：
BSC0923NDIATMA1-ND
别名：SP000934758
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 19A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7834TRPBF
仓库库存编号：
IRF7834PBFTR-ND
别名：IRF7834PBFTR
IRF7834TRPBF-ND
IRF7834TRPBFTR-ND
SP001563774
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R600E6BTMA1
仓库库存编号：
IPD65R600E6BTMA1CT-ND
别名：IPD65R600E6BTMA1CT
IPD65R600E6CT
IPD65R600E6CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R600E6ATMA1
仓库库存编号：
IPD65R600E6ATMA1-ND
别名：SP001117096
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R660CFDBTMA1
仓库库存编号：
IPD65R660CFDBTMA1TR-ND
别名：IPD65R660CFD
IPD65R660CFD-ND
SP000745024
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R660CFDATMA1
仓库库存编号：
IPD65R660CFDATMA1-ND
别名：SP001117748
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 33A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC015NE2LS5IATMA1
仓库库存编号：
BSC015NE2LS5IATMA1-ND
别名：SP001288138
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 31W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R400CEXKSA1
仓库库存编号：
IPA65R400CEXKSA1-ND
别名：SP001429766
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 28A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC020N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC020N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC020N03LS GCT
BSC020N03LS GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-251-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS65R600E6AKMA1
仓库库存编号：
IPS65R600E6AKMA1-ND
别名：SP001273092
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 18A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRFR5505TRL
仓库库存编号：
AUIRFR5505TRL-ND
别名：SP001519572
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