产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 55V 5A 8DSO
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 5A 2W Surface Mount P-DSO-8
型号：
BSO604NS2XUMA1
仓库库存编号：
BSO604NS2XUMA1TR-ND
别名：BSO604NS2
BSO604NS2-ND
BSO604NS2NT
BSO604NS2T
BSO604NS2TR
BSO604NS2TR-ND
BSO604NS2XT
SP000396268
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 3.9A（Tc） 36.7W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R950CFDATMA1
仓库库存编号：
IPD65R950CFDATMA1-ND
别名：SP001117750
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 0.21A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 210mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP179H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP179H6327XTSA1-ND
别名：SP001212770
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 6.3A 35W DPAK
详细描述：IGBT NPT 600V 6.3A 35W Surface Mount D-Pak
型号：
IRGR2B60KDTRPBF
仓库库存编号：
IRGR2B60KDTRPBF-ND
别名：SP001536510
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 6.3A 35W DPAK
详细描述：IGBT NPT 600V 6.3A 35W Surface Mount D-Pak
型号：
IRGR2B60KDTRRPBF
仓库库存编号：
IRGR2B60KDTRRPBF-ND
别名：SP001533092
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 4.5A（Tc） 37W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R950C6ATMA1
仓库库存编号：
IPD65R950C6ATMA1-ND
别名：SP001107082
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3711TRPBF
仓库库存编号：
IRFR3711PBFTR-ND
别名：IRFR3711PBFTR
IRFR3711TRPBF-ND
IRFR3711TRPBFTR-ND
SP001557028
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3711TRLPBF
仓库库存编号：
IRFR3711TRLPBF-ND
别名：SP001578136
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8
详细描述：Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 30V 15A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
型号：
BSC0925NDATMA1
仓库库存编号：
BSC0925NDATMA1-ND
别名：SP000934752
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 64A（Tc） 46W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC065N06LS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC065N06LS5ATMA1-ND
别名：SP001385614
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 21A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 21A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），63W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ028N04LSATMA1
仓库库存编号：
BSZ028N04LSATMA1-ND
别名：SP001067016
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 26A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 26A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta）, 43W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0502NSIATMA1
仓库库存编号：
BSC0502NSIATMA1-ND
别名：SP001288142
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 55V 5A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 5A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
AUIRLL024ZTR
仓库库存编号：
AUIRLL024ZTRTR-ND
别名：AUIRLL024ZTRTR
SP001517712
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 91A（Tc） 115W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR8103VTRPBF
仓库库存编号：
IRLR8103VPBFTR-ND
别名：IRLR8103VPBFTR
SP001558514
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 2.8A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
AUIRFL024NTR
仓库库存编号：
AUIRFL024NTR-ND
别名：SP001519268
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta）, 43W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0502NSIATMA1
仓库库存编号：
BSZ0502NSIATMA1-ND
别名：SP001288154
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 40A（Tc） 63W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ084N08NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSZ084N08NS5ATMA1-ND
别名：SP001227056
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS119L6433HTMA1
仓库库存编号：
BSS119L6433HTMA1CT-ND
别名：BSS119 L6433CT
BSS119 L6433CT-ND
BSS119L6433
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5.7A（Tc） 48W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R750E6ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R750E6ATMA1-ND
别名：SP001117728
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-224
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 3.1A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
AUIRLL024NTR
仓库库存编号：
AUIRLL024NTR-ND
别名：SP001518736
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 29A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC018NE2LSATMA1
仓库库存编号：
BSC018NE2LSATMA1CT-ND
别名：BSC018NE2LSCT
BSC018NE2LSCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 1.22A SOT883
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.22A（Tc） 2.5W（Tc） DFN1006-3
型号：
PMZ760SN,315
仓库库存编号：
568-7443-1-ND
别名：568-7443-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3-1
型号：
SPD03N60C3ATMA1
仓库库存编号：
SPD03N60C3ATMA1-ND
别名：SP001117760
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 15A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7457TRPBF
仓库库存编号：
IRF7457PBFCT-ND
别名：*IRF7457TRPBF
IRF7457PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 29A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0501NSIATMA1
仓库库存编号：
BSC0501NSIATMA1-ND
别名：SP001288140
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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